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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M30042040108X0PWAY Renesas Electronics America Inc M30042040108X0PWAY 14.5624
RFQ
 ECAD 6896 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド M30042040108 ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 800-M30042040108X0PWAY ear99 8542.32.0071 225 108 MHz 不揮発性 4mbit ラム 1m x 4 - -
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-IT：F -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT：f 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
W25Q32JVTBAM Winbond Electronics w25q32jvtbam -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVTBAM 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
7143LA90J8 Renesas Electronics America Inc 7143LA90J8 -
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7143la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 250 揮発性 32kbit 90 ns sram 2k x 16 平行 90ns
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT：C TR 94.8900
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
NLQ43PFS-8NIT TR Insignis Technology Corporation nlq43pfs-8nit tr 15.7000
RFQ
 ECAD 1354 0.00000000 Insignis Technology Corporation - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
M29W400FB5AN6F TR Micron Technology Inc. M29W400FB5AN6F TR -
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
7024S35PF Renesas Electronics America Inc 7024S35pf -
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7024S35 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 64kbit 35 ns sram 4k x 16 平行 35ns
MX29GL512GDT2I-11Q Macronix MX29GL512GDT2I-11Q 7.3590
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 マクロニックス MX29GL トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 56-tsop - 3 （168 時間） 1092-MX29GL512GDT2I-11Q 96 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 CFI 100ns
7054S45PRFI8 Renesas Electronics America Inc 7054S45PRFI8 -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 128-LQFP sram- クアッドポート、非同期 4.5v〜5.5V 128-TQFP - 800-7054S45PRFI8TR 1 揮発性 32kbit 45 ns sram 4k x 8 平行 45ns
W634GU6QB11I TR Winbond Electronics w634gu6qb11i tr 5.9850
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W634GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU6QB11ITR ear99 8542.32.0036 3,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS46TR16256B-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA2 9.6817
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16256B-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
STK11C88-NF25TR Infineon Technologies STK11C88-NF25TR -
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） STK11C88 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 25 ns nvsram 32k x 8 平行 25ns
SM662GAA-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GAAベスト -
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GAA-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
IS43R16320D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BL-TR 7.5000
RFQ
 ECAD 5575 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29W128GL70N6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70N6F TR -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
CY7C1370SV25-200BZC Infineon Technologies Cy7C1370SV25-200BZC -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1370 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 512K x 36 平行 -
27S29APC Rochester Electronics, LLC 27S29APC 17.9500
RFQ
 ECAD 4180 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC - バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1
MT53B128M32D1Z00NWC2 AT Micron Technology Inc. mt53b128m32d1z00nwc2 at -
RFQ
 ECAD 9693 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53B128M32D1Z00NWC2AT 廃止 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
SMJ61CD16LA-25JDM Texas Instruments SMJ61CD16LA-25JDM 55.8600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 テキサスの楽器 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A001A2C 8542.32.0041 1
CAT24C02YGI-26707 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C02YGI-26707 -
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 ECAD 3350 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT24C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
IS43LR32800H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BLI-TR 4.9180
RFQ
 ECAD 8552 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LR32800H-6BLI-TR 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 lvcmos 15ns
MTFC128GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-ait tr 40.2300
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR 2,000
MX29GL640EHTI-70G Macronix MX29GL640EHTI-70G 3.5750
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 マクロニックス MX29GL トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop - 3 （168 時間） 1092-MX29GL640EHTI-70G 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 CFI 70ns
W71NW10GE3FW Winbond Electronics w71nw10ge3fw -
RFQ
 ECAD 3237 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - W71NW10 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W71NW10GE3FW 210 400 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム - - -
IS42S16320D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7BL-TR 12.2400
RFQ
 ECAD 6289 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
W74M01GVZEIG Winbond Electronics W74M01GVZEIG -
RFQ
 ECAD 3668 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W74M01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M01GVZEIG 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
GD25D20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CKIGR 0.3016
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 ECAD 7918 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25D テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25D20CKIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
LC3564BM-70 Sanyo LC3564BM-70 -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 sanyo - バルク 廃止 表面マウント 28-SOIC （0.330 "、8.40mm 幅） sram-非同期 28ソップ - 2156-LC3564BM-70 1 揮発性 64kbit 200 ns sram 8k x 8 平行
NAND128W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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