画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
cat25320yi-g | - | ![]() | 4442 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT25320 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | mtfc8gacaens-ait tr | - | ![]() | 5150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | 153-TFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | mtfc8gacaens-aittr | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||
![]() | W958D6DKA-7M | - | ![]() | 6362 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | バルク | 前回購入します | -25°C〜85°C | 表面マウント | 死ぬ | W958D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W958D6DKA-7M | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 70 ns | psram | 16m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1425Kv18-250ckb | 35.9700 | ![]() | 272 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | Cy7C1425 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 4m x 9 | 平行 | - | |||||||
![]() | S25FL116K0XMFN041 | - | ![]() | 1624 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | S25FL116 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
MT29F8G0808ADAFAWP-AAT:f | 12.8500 | ![]() | 241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F8G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
AS7C34096A-10TCNTR | 4.5617 | ![]() | 5474 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C34096 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | SST39LF401C-55-4C-EKE | 2.5200 | ![]() | 3354 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | SST39LF401 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SST39LF401C554CEKE | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 256k x 16 | 平行 | 10µs | |||
![]() | IS42S32200E-6TL-TR | - | ![]() | 8330 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | AT28C256F-15JU-T | 12.8700 | ![]() | 1231 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT28C256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 750 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 3ms | ||||
![]() | CYD18S72V18-167BGXC | 272.5600 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 484-FBGA | CYD18S72 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 484-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | w631gg8mb12j tr | - | ![]() | 4222 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8MB12JTR | 廃止 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |||
Cy7C1325G-100axi | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1325 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | FM27C040Q150 | - | ![]() | 2923 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 32-CDIP (0.685 "、17.40mm )ウィンドウ | FM27C040 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 32-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 150 ns | eprom | 512k x 8 | 平行 | - | ||||
S25FL128SAGBHEA00 | 52.9025 | ![]() | 5786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | S25HS512TDPNHV013 | 10.1150 | ![]() | 2077 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
![]() | Cy7C1420AV18-200BZC | 44.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1420 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | STK11C88-SF45TR | - | ![]() | 5941 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | STK11C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C1520AV18-200BZI | 102.2300 | ![]() | 217 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1520 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | MT62F768M32D2DS-023 FAAT:B TR | 25.6500 | ![]() | 3828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14.5 | - | 557-MT62F768M32DS-023FAAT:BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | 平行 | - | |||||||||
![]() | S99GL256P10FFI010 | - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S99GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||
w25q64cvzpbg | - | ![]() | 5909 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64CVZPBG | 廃止 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
![]() | BR95040-WMN6TP | - | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BR95040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BR95040WMN6TP | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 5 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:c | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | Cy7C1041CV33-20ZSXE | - | ![]() | 7533 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 20 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | Cy7C1265KV18-550BZXC | - | ![]() | 6978 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1265 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 550 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc32gamakam-wt | - | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | - | - | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | - | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | 7104493-C | 48.5000 | ![]() | 2634 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-7104493-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS43QR16512A-075VBL-TR | 16.1861 | ![]() | 4951 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43QR16512A-075VBL-TR | 2,000 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | 7008S20PF8 | - | ![]() | 2859 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7008S20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 20 ns | sram | 64k x 8 | 平行 | 20ns |
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