画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
70T653MS15BC | 379.6411 | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | 70T653 | sram- デュアルポート、非同期 | 2.4V〜2.6V | 256-CABGA (17x17) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 18mbit | 15 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | SST25VF080B-80-4I-S2AE-T | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | SST25VF080 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,100 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 10µs | ||||
![]() | 7134SA55JI8 | - | ![]() | 8274 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-lcc | 7134SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 32kbit | 55 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | SST25VF040B-50-4I-SAF | 1.1200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SST25VF040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 10µs | ||||
CAT25010VE-GT3 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25010 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | cat25040li-g | - | ![]() | 5385 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | CAT25040 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | M30082040108X0ISAY | 20.3740 | ![]() | 5954 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | M30082040108 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-M30082040108X0ISAY | ear99 | 8542.32.0071 | 150 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | ラム | 2m x 4 | - | - | ||||
MX25V80066M2I02 | 0.3175 | ![]() | 2757 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V80066M2I02 | 92 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 2、8m x 1 | spi | 200μs5ms | ||||||||
![]() | CYD18S36V18-200BBAXI | - | ![]() | 2492 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 256-lbga | CYD18S36 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 256-FBGA (17x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | AS4C256M16D3LC-12BCN | 11.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C256M16D3LC-12BCN | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
MX25V80066ZNI02 | 0.3805 | ![]() | 8839 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V80066ZNI02 | 570 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 2、8m x 1 | spi | 200μs5ms | ||||||||
![]() | AT25DQ161-MH-Y | - | ![]() | 9725 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | AT25DQ161 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-udfn (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 100 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 7µs、3ms | ||||
25AA160DT-I/ST | 0.7950 | ![]() | 6092 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | S25HL512TDPMHV010 | 10.0975 | ![]() | 4821 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR | 5.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | S29GL256P11FFIV10 | 11.1800 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | w25q64jvsfim tr | 0.9468 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | 71V416L15BEGI | 8.6840 | ![]() | 4387 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IDT71V67602S166BG8 | - | ![]() | 1839 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | IDT71v67602 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v67602S166bg8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | GD5F2GQ4UF9IGR | - | ![]() | 4326 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vlga露出パッド | GD5F2GQ4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-lga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||||
![]() | S29GL01GS11FHB023 | - | ![]() | 3922 | 0.00000000 | スパンション | gl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||||||
![]() | S99GL01GP11TFIR10 | - | ![]() | 6031 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S99GL01 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | 520966231566 | - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S98KL0BGT00HC0040 | 232.6940 | ![]() | 324 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 5 | 確認されていません | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL512N11FFA020 | - | ![]() | 3538 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | Cy7C1470BV25-167BZIT | - | ![]() | 3829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1470 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | W972GG8KS-18 TR | 9.3750 | ![]() | 4026 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W972GG8KS-18TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 350 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
M95256-DFMC6TG | 0.9700 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | M95256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-ufdfpn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | W632GU8NB12J | - | ![]() | 2781 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | CY7C1021BN-15VXET | - | ![]() | 6205 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns |
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