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メモリ（70500）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C1471V25-133AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1471v25-133Axc 148.8400
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1471 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1 133 MHz 揮発性 72mbit 6.5 ns sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
MD2716-45/B Rochester Electronics, LLC MD2716-45/b 84.4400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1
X28C010NM-12 Xicor-Division of Intersil X28C010NM-12 61.3300
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 IntersilのXicor-division - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 32-CLCC X28C010 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-CLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A001A2C 3542.32.0051 1 不揮発性 1mbit 120 ns Eeprom 128k x 8 平行 10ms
AM27C010-55DI Rochester Electronics, LLC AM27C010-55DI -
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 32-CDIP （0.600 "、15.24mm） AM27C010 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 32-CDIP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 1mbit 55 ns eprom 128k x 8 平行 -
TE28F010-90 Rochester Electronics, LLC TE28F010-90 25.2600
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 1
CY14B512Q1A-SXI Cypress Semiconductor Corp Cy14B512q1a-sxi 6.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Cy14B512 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 44 40 MHz 不揮発性 512kbit nvsram 64k x 8 spi - 確認されていません
CY7C1471BV33-133BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1471BV33-133BZXC 142.1400
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1471 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1 133 MHz 揮発性 72mbit 6.5 ns sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
MT58V512V32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V32FT-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 18mbit sram 512K x 32 平行 -
CY7C1481BV33-133BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1481BV33-133BZI 190.1200
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1481 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1 133 MHz 揮発性 72mbit 6.5 ns sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
MT58L32L32PT-6 Micron Technology Inc. MT58L32L32PT-6 10.9700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 166 MHz 揮発性 1mbit 3.5 ns sram 32K x 32 平行 -
INT70P1784 IBM INT70P1784 -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 IBM * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
MT58L64L18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-7.5 8.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L18 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
SMJ61CD16LA-70JDM Texas Instruments SMJ61CD16LA-70JDM 18.3000
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 テキサスの楽器 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A001A2C 8542.32.0041 1
CAT93C66SI-26515 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C66SI-26515 -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C66 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 2 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8、256 x 16 マイクロワイヤ -
CAT24C04LGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C04LGI -
RFQ
 ECAD 5711 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT24C04 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
3229L7640 IBM 3229L7640 -
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 IBM * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
R1RW0416DSB-0PI#D0 Renesas Electronics America Inc R1RW0416DSB-0PI＃D0 24.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） R1RW0416 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 1 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
CAT93C56VI-G-ON onsemi cat93c56vi-g-on -
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C56 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ -
0W665-006-XDW onsemi 0W665-006-XDW -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 影響を受けていない 488-0W665-006-XDWTR 廃止 5,000
CAT25160HU2IGT3C onsemi CAT25160HU2IGT3C -
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド CAT25160 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-udfn （2x2） - 1 （無制限） 影響を受けていない 488-CAT25160HU2IGT3CTR 廃止 3,000 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
CAT25640ZI-GT3E onsemi CAT25640ZI-GT3E -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 1 （無制限） 影響を受けていない 488-CAT25640ZI-GT3ETR 廃止 2,500
CAT25160VE-GC onsemi CAT25160VE-GC -
RFQ
 ECAD 9208 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25160 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 100 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
CAT25020VI-GT3D onsemi CAT25020VI-GT3D -
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25020 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC - 1 （無制限） 影響を受けていない 488-CAT250202020VI-GT3DTR 廃止 3,000 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
AT24HC04BN-SP25-T Microchip Technology AT24HC04BN-SP25-T -
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24HC04 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC - 150-AT24HC04BN-SP25-TTR 廃止 1,000 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
W631GU6NB-15 Winbond Electronics W631GU6NB-15 3.2268
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB-15 ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
EM08APGCJ-AC000-2 Delkin Devices, Inc. EM08APGCJ-AC000-2 -
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 Delkin Devices、Inc。 - トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA em08apg フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 - ROHS準拠 3 （168 時間） 3247-EM08APGCJ-AC000-2 廃止 1,520 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT：e -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1,360
EM6HE08EW9G-10H Etron Technology, Inc. EM6HE08EW9G-10H 7.1250
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA EM6HE08 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
NDQ46PFP-8NIT TR Insignis Technology Corporation NDQ46PFP-8NIT TR -
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 Insignis Technology Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） - - SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - - 1982-NDQ46PFP-8NITTR 廃止 2,500 1.2 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 256m x 16 ポッド 15ns
NDQ48PFQ-8XET Insignis Technology Corporation NDQ48PFQ-8XET 8.2500
RFQ
 ECAD 3202 0.00000000 Insignis Technology Corporation - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x10.6 - 1982-NDQ48PFQ-8XET 2,500 1.2 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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