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メモリ（70500）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
7052L25G	-	RFQ	6858	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	108-bpga	7052L25	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	108-PGA （30.48x30.48）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	3		揮発性	16kbit	25 ns	sram	2k x 8	平行	25ns
7052L35PQF	-	RFQ	8821	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	132-BQFPが妨害されました	7052L35	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	132-PQFP（24.13x24.13	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	18		揮発性	16kbit	35 ns	sram	2k x 8	平行	35ns
7052S20PQF	-	RFQ	4664	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	132-BQFPが妨害されました	7052S20	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	132-PQFP（24.13x24.13	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	18		揮発性	16kbit	20 ns	sram	2k x 8	平行	20ns
7052S25PQF	-	RFQ	4281	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	132-BQFPが妨害されました	7052S25	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	132-PQFP（24.13x24.13	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	18		揮発性	16kbit	25 ns	sram	2k x 8	平行	25ns
7052S35G	-	RFQ	6950	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	108-bpga	7052S35	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	108-PGA （30.48x30.48）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	3		揮発性	16kbit	35 ns	sram	2k x 8	平行	35ns
7054L35PRF8	-	RFQ	8751	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	128-LQFP	7054L35	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	128-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		揮発性	32kbit	35 ns	sram	4k x 8	平行	35ns
7054S20PRF	-	RFQ	2561	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	128-LQFP	7054S20	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	128-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	6		揮発性	32kbit	20 ns	sram	4k x 8	平行	20ns
7054S35PRF	-	RFQ	1221	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	128-LQFP	7054S35	sram- クアッドポート、非同期	4.5v〜5.5V	128-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	6		揮発性	32kbit	35 ns	sram	4k x 8	平行	35ns
M25P128-VME6G	-	RFQ	1768年	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-vdfn露出パッド	M25P128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-VDFPN	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	-M25P128-VME6G	3A991B1A	8542.32.0071	1,920	50 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi	15ms、7ms
M36W0R5040B5ZAQE	-	RFQ	7417	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-30°C〜85°C（TA）	表面マウント	88-TFBGA	M36W0R	フラッシュ	1.7V〜1.95V	88-TFBGA	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	-M36W0R5040B5ZAQE	3A991B1A	8542.32.0071	253		不揮発性	32mbit	70 ns	フラッシュ	2m x 16	平行	-
M36W0R6050L4ZSE	-	RFQ	7123	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-30°C〜85°C（TA）	表面マウント	56-TFBGA	M36W0R	フラッシュ	1.7V〜1.95V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	-M36W0R6050L4ZSE	3A991B1A	8542.32.0071	384		不揮発性	64mbit	70 ns	フラッシュ	4m x 16	平行	-
Cy62148EV30LL-45ZSXAT	-	RFQ	4413	Infineon Technologies	mobl®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm）	Cy62148	sram-非同期	2.2V〜3.6V	32-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	4mbit	45 ns	sram	512k x 8	平行	45ns
Cy7C0831AV-133AXI	-	RFQ	4003	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	120-LQFP	Cy7C0831	sram- デュアルポート、同期	3.135V〜3.465V	120-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	90	133 MHz	揮発性	2mbit		sram	128k x 18	平行	-
Cy7C0851AV-167AXC	-	RFQ	6452	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	176-LQFP	Cy7C0851	sram- デュアルポート、同期	3.135V〜3.465V	176-TQFP （24x24）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	40	167 MHz	揮発性	2mbit		sram	64k x 36	平行	-
Cy7C0852AV-133AXI	-	RFQ	9630	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	176-LQFP	Cy7C0852	sram- デュアルポート、同期	3.135V〜3.465V	176-TQFP （24x24）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	40	133 MHz	揮発性	4.5mbit		sram	128k x 36	平行	-
Cy7C1061DV33-10ZSXI	-	RFQ	7662	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1061	sram-非同期	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	2832-CY7C1061DV33-10ZSXI	3A991B2A	8542.32.0041	108		揮発性	16mbit	10 ns	sram	1m x 16	平行	10ns
Cy7C1420JV18-300BZXC	-	RFQ	7557	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1420	sram- ddr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-
Cy7C1460AV33-250AXI	-	RFQ	4223	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1460	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	Cy7C1460AV33250AXI	3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	揮発性	36mbit	2.6 ns	sram	1m x 36	平行	-
CY7C1470BV25-167BZXC	-	RFQ	7742	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1470	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	揮発性	72mbit	3.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
Cy7C1470BV25-200AXC	172.4800	RFQ	9218	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1470	sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	72mbit	3 ns	sram	2m x 36	平行	-
Cy7C1470BV33-167AXCT	172.4800	RFQ	1089	Infineon Technologies	NOBL™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1470	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	750	167 MHz	揮発性	72mbit	3.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
Cy7C1471BV33-133AXC	172.5500	RFQ	8220	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1471	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	揮発性	72mbit	6.5 ns	sram	2m x 36	平行	-
CY7C1474BV25-200BGXI	-	RFQ	2751	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	209-BGA	Cy7C1474	sram- sdr	2.375V〜2.625V	209-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	5 （48 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	揮発性	72mbit	3 ns	sram	1m x 72	平行	-
CY7C1474BV33-200BGXC	172.4800	RFQ	5652	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	209-BGA	Cy7C1474	sram- sdr	3.135V〜3.6V	209-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	揮発性	72mbit	3 ns	sram	1m x 72	平行	-
Cy7C1514V18-200BZXC	-	RFQ	8009	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1514	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS3準拠	5 （48 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	102	200 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
Cy7C1568V18-400BZXC	-	RFQ	4359	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1568	sram- ddr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS3準拠	5 （48 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
CYD09S72V18-200BGXI	-	RFQ	8072	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	484-FBGA	CYD09S72	sram- デュアルポート、同期	1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V	484-PBGA （27x27	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	60	200 MHz	揮発性	9mbit	3.3 ns	sram	128k x 72	平行	-
CYD18S36V18-200BBAXI	-	RFQ	2492	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	256-lbga	CYD18S36	sram- デュアルポート、同期	1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V	256-FBGA （17x17	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	90	200 MHz	揮発性	18mbit	3.3 ns	sram	512K x 36	平行	-
AT24C04BN-SH-B	-	RFQ	1929年年	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	AT24C04	Eeprom	1.8V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	不揮発性	4kbit	550 ns	Eeprom	512 x 8	i²c	5ms
AT24C04B-PU	-	RFQ	7208	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）	AT24C04	Eeprom	1.8V〜5.5V	8-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	50	1 MHz	不揮発性	4kbit	550 ns	Eeprom	512 x 8	i²c	5ms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²