画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C512M8D4-83BCNTR | 7.3815 | ![]() | 9783 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C512M8D4-83BCNTR | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | ||||||
![]() | SM671PEC-AFSS | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PEC-AFSS | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | |||||
![]() | 71v65703S85bg8 | 26.1188 | ![]() | 8330 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71v65703 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 38049369-C | 81.7500 | ![]() | 9792 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-38049369-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
IDT71256SA12Y | - | ![]() | 6235 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71256SA12Y | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | Cy62136VLL-70ZSXET | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62136 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | 70V37L20PFGI | - | ![]() | 6083 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V37 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 576kbit | 20 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | 20ns | |||
![]() | 25LC040A-I/MS | 0.6300 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 25LC040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | 70V34L15PFG8 | - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V34 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 72kbit | 15 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S99-50477 | - | ![]() | 1532 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 7034S15pf | - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7034S15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 72kbit | 15 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S25FL164K0XNFI010 | - | ![]() | 7385 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | STK12C68-PF55 | 53.3300 | ![]() | 972 | 0.00000000 | Simtek | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip (0.300 "、7.62mm) | STK12C68 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 55 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | R1LV3216RSD-5SI #B0 | - | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-TFSOP (0.350 "、幅8.89mm) | R1LV3216 | sram | 2.7V〜3.6V | 52-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 230 | 揮発性 | 32mbit | 55 ns | sram | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 55ns | |||
IS46DR16320C-25DBLA1 | 8.2104 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C128A-25SC | 1.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C128a | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | ||||||
![]() | Cy7C1011DV33-10BVXI | 6.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1011 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | ![]() | 315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 71V016SA10BFG | 6.5500 | ![]() | 5662 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-lfbga | 71V016 | sram-非同期 | 3.15V〜3.6V | 48-cabga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | 7024L25PFI | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7024L25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | IS42SM32800D-75BLI | - | ![]() | 4084 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32800 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | - | ![]() | 3575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | -MT28EW512ABA1HJS-0AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 512mbit | 105 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
GS81302Q36GE-300I | 243.5230 | ![]() | 7691 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS81302Q36 | sram- クアッドポート、同期 | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga(15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS81302Q36GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 4m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S29GL128S10TFI010 | 5.5800 | ![]() | 1120 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 128mbit | 100 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | BR25H080FVT-WCE2 | 1.9306 | ![]() | 1827年 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR25H080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BR25H080FVTWCE2 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||
MT53E512M32D1ZW-046AIT:b | 14.7000 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT:b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
![]() | 7100790-C | 67.5000 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-7100790-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL064LABMFN013 | 2.7475 | ![]() | 1262 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
![]() | w25q32jvzejm | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
7025L20JGI8 | 55.1935 | ![]() | 5453 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | 7025L20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 200 | 揮発性 | 128kbit | 20 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 20ns |
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