画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | プログラム可能なタイプ | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CG6720am | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1T08CUCBBH8-6R:b | - | ![]() | 9836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 152-lbga | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | 7107209-C | 268.7500 | ![]() | 1477 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-7107209-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS43R16160D-6TL | 4.5300 | ![]() | 1808 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS42S16400J-7Tli | 2.0300 | ![]() | 7681 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | 652504-B21-C | 37.5000 | ![]() | 9591 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-652504-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | W634GU8QB09I | 6.6186 | ![]() | 5948 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB09I | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S99FL132KI010 | - | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128B-25BPLI-TR | 12.4500 | ![]() | 8543 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128B-25BPLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | W29N01HWBINA TR | 3.4053 | ![]() | 5631 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWBINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 64m x 16 | onfi | 25ns | ||||
![]() | AT17F16-30JU | 1.0000 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 20-LCC | 2.97V〜3.63V | 20-plcc (9x9) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | フラッシュ | 16MB | 確認されていません | ||||||||||||||
![]() | MT55L64L36P1T-10 | 5.5100 | ![]() | 281 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 2mbit | 5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | W634GU6QB-11 | 10.8700 | ![]() | 198 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W634GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU6QB-11 | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT27LV020A-12TU | - | ![]() | 6261 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT27LV020 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | eprom | 256k x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | S26361-F4083-E816-C | 210.0000 | ![]() | 7691 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4083-E816-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | FT24C512A-EDR | - | ![]() | 3606 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | FT24C512 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | AT49SV802A-90TU | - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49SV802 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | 24AA512SC-I/W22K | - | ![]() | 9878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 24AA512 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CY7C1041BV33-15VIT | 11.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS46LR32160B-6BLA1-TR | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS46LR32160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | 5962-8700204ZA | 188.5930 | ![]() | 4758 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 5962-8700204 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-8700204ZA | 8 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||||
![]() | S26361-F3935-L617-C | 2.0000 | ![]() | 5193 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F3935-L617-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 70V261S25PF | - | ![]() | 8554 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V261 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | mt53e4dcdt-dc | 22.5000 | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4DCDT-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||||
![]() | SNPH5P71C/8G-C | 73.5000 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPH5P71C/8G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
CAT28F001GI-12T | - | ![]() | 2806 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | CAT28F001 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | |||||||
![]() | IDT71V424S12YI8 | - | ![]() | 1207 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71v424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V424S12YI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | Cy7C245A-45pc | 7.3300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C245 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 45 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | ||||||||
![]() | S29GL512S12DHE010 | 43.4493 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 260 | 不揮発性 | 512mbit | 120 ns | フラッシュ | 64m x 8 | CFI | 60ns | |||||||||
![]() | Cy7C1543KV18-400BZC | - | ![]() | 8497 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1543 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1543kv18-400bzc | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - |
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