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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BAS316	0.0266	RFQ	6598	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	BAS316	標準		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-bas316tr	ear99	8541.10.0070	9,000	高速回復= <500ns		100 V		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	-65°C〜150°C	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
1N5392T/r	0.0400	RFQ	60	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5392T/RTR		8541.10.0000	5,000	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
ffb20up20dn	0.6300	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	TO-263-3		標準		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.15 V @ 10 a	40 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C
MBR20200pth	1.6323	RFQ	9061	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	MBR20200	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBR20200pth	ear99	8541.10.0080	900	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	20a	1.02 V @ 20 a		100 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
KYZ35K2	1.8521	RFQ	500	diotec半導体	-	箱	アクティブ			フィットを押します	do-208aa		標準		DO-208	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-kyz35k2		8541.10.0000	500	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 35 a	1.5 µs	100 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	35a	-
SK5C0C	0.4900	RFQ	7084	うねり	-	バッグ	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2616-SK5C0C	3A001	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		850 mv @ 5 a		30 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	5a	96pf @ 4V、1MHz
CDBA240-G	0.4700	RFQ	64	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	CDBA240	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		40 v		500 mV @ 2 a		500 µA @ 40 V	125°C （最大）	2a	-
GP10NE-M3/73	-	RFQ	8045	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1100 v		1.2 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1100 v	-65°C〜150°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
SB230L-AP	0.0853	RFQ	2971	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SB230	ショットキー		DO-15	ダウンロード				353-SB230L-AP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		30 V		450 mv @ 2 a		100 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	180pf @ 4V、1MHz
MD120A16D1-BP	29.8200	RFQ	77	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D1	MD120	標準		D1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	1600 v	120a	1.35 V @ 300 a		6 MA @ 1600 v	-40°C〜150°C
PMEG6045ETP-QX	0.6000	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128		ショットキー		SOD-128/CFP5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		60 V		530 mV @ 4.5 a	20 ns	400 µA @ 60 V	175°C	4.5a	575pf @ 1V、1MHz
VS-3EGU06WHM3/5BT	0.1769	RFQ	4597	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	3EGU06	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		600 V		1.35 V @ 3 a	65 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	-
SK55LHE3-TP	0.1643	RFQ	4653	Micro Commercial Co	-	バルク	前回購入します			表面マウント	do-214ab 、mc	SK55	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード				353-SK55LHE3-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		50 v		750 mv @ 5 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	5a	200pf @ 4V、1MHz
BZX84-C62-QR	0.0319	RFQ	3250	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZX84-C62-QRTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 43.4 v				62 v	215オーム
V2PL45L-M3/h	0.4000	RFQ	744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	V2PL45	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		45 v		530 mV @ 2 a		300 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	2a	390pf @ 4V、1MHz
ESH1PCHM3/85A	0.1681	RFQ	7196	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ESH1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-55°C〜175°C	1a	25pf @ 4V、1MHz
cdll4731c/tr	5.4750	RFQ	2909	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-CDLL4731C/TR	ear99	8541.10.0050	173					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V				4.3 v	9オーム
BZD27C68PH	0.2933	RFQ	8957	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.88％	-55°C〜175°C	表面マウント	SOD-123	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZD27C68PHTR	ear99	8541.10.0050	10,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51 v				68 v	80オーム
SF61G-BP	0.1948	RFQ	4641	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SF61	標準		DO-201AD	ダウンロード				353-SF61G-BP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		50 v		975 mV @ 6 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	6a	120pf @ 4V、1MHz
MBR10L100CTH	0.6996	RFQ	6139	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR10	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBR10L100CTH	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	850 mv @ 10 a		20 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
VI40100G-M3/4W	0.9691	RFQ	9994	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI40100	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	20a	810 mv @ 20 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
DSS6-0045AS-TUB	-	RFQ	9929	ixys	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	to-252-3	DSS6	ショットキー		TO-252AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	238-DSS6-0045AS浴槽	ear99	8541.10.0080	70	高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 6 a		250 µA @ 45 V	-55°C〜175°C	6a	497pf @ 5V、1MHz
MURS160A-13	0.4400	RFQ	9752	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		標準		SMA	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		600 V		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	13pf @ 4V、1MHz
VS-MT230BD16CCB	-	RFQ	3732	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ					VS-MT230				-	ROHS3準拠			112-VS-MT230BD16CCB			1
jans1n6487c	-	RFQ	7722	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		35 µA @ 1 V				3.9 v	9オーム
1N4735G R0G	0.0627	RFQ	6552	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4735		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V				6.2 v	2オーム
rsfklh	0.1815	RFQ	4691	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123		標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-rsfklhtr	ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 500 Ma	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
TSSE3U60H	0.2874	RFQ	2964	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123H	TSSE3	ショットキー		SOD-123HE	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSSE3U60HTR	ear99	8541.10.0080	20,000	高速回復= <500ns		60 V		580 mV @ 3 a		1 MA @ 60 v	-55°C〜150°C	3a	-
US2DFL-TP	0.0626	RFQ	7840	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	US2d	標準		DO-221AC	ダウンロード				353-US2DFL-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	2a	28pf @ 4V、1MHz
MMBZ5265C-G3-18	-	RFQ	7774	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5265		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 47 v				62 v	185オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²