画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZS55C18 | 0.0340 | ![]() | 6200 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZS55C18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 18 v | 50オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5245BT3G | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ524 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84B22Q | 0.0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX84B22QTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS971DUR-1 | - | ![]() | 1377 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS971DUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ABZT52B2V0-HF | 0.0690 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | ABZT52 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS準拠 | 641-ABZT52B2V0-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 120 µA @ 500 mV | 2 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5337BE3/TR13 | - | ![]() | 5505 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5337 | 5 W | T-18 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 2オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84C75_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 4618 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 Na @ 56 v | 75 v | 250オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4001GP | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | 標準 | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | 適用できない | 適用できない | 未定義のベンダー | 2796-1N4001GPTR | 8541.10.0000 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | BAS70-06B5003 | 0.0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS70 | ショットキー | PG-SOT23-3-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 100 Na @ 50 V | 150°C | |||||||||||
![]() | HPZR-C70X | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | HPZR | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123W | 962 MW | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 60 V | 70 v | 76.32オーム | |||||||||||||
![]() | MM5Z27VT1G | - | ![]() | 4349 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±7% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MM5Z2 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | BZB84-B75,215 | 0.0300 | ![]() | 77 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n6912utk2cs/tr | 364.6950 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/723 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | Thinkey™2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n6912utk2cs/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 45 v | 640 mV @ 25 a | 1.2 mA @ 45 v | -65°C〜150°C | 25a | 1000pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CDLL5536C | 12.1950 | ![]() | 5861 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5536C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 14.4 v | 16 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n6857ur-1/tr | - | ![]() | 4448 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | ショットキー | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n6857ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 16 v | 750 mV @ 35 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | 150ma | 4.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | G4S06508HT | 4.6900 | ![]() | 4952 | 0.00000000 | グローバルパワーテクノロジー-gpt | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 18.5a | 395pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | PMEG6010CEH 、115 | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | PMEG6010 | ショットキー | SOD-123F | - | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-PMEG6010CEH 、115-954 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 660 mV @ 1 a | 50 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | 68pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | TDZ18J 、115 | 0.3400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ18 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | FR103G B0G | - | ![]() | 3416 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | FR103 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SFS1607G MNG | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1607 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 16a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZB784-C12,115 | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZB784-C12 | 180 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n6337dus | 57.9000 | ![]() | 2457 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6337dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 27 V | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4746A | - | ![]() | 5397 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | カットテープ(CT) | 廃止 | ±5% | 200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | FFA20U20DNTU | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.2 V @ 20 a | 40 ns | 20 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | 1SMA4746 | 0.4000 | ![]() | 99 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1 W | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 18オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3039d-1/tr | 32.2392 | ![]() | 8362 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3039d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||||
![]() | VS-12TQ035S-M3 | 0.6706 | ![]() | 4297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 12TQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 35 v | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
SS14LHM2G | - | ![]() | 4943 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS14 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | 50HQ040 | 169.3350 | ![]() | 3507 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 50hq040ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 60 a | 2 MA @ 40 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | BZX55C9V1-TAP | 0.2300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C9V1 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム |
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