画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMEG6010CEH 、115 | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | PMEG6010 | ショットキー | SOD-123F | - | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-PMEG6010CEH 、115-954 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 660 mV @ 1 a | 50 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | 68pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | TDZ18J 、115 | 0.3400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ18 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | FR103G B0G | - | ![]() | 3416 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | FR103 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SFS1607G MNG | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1607 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 16a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZB784-C12,115 | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZB784-C12 | 180 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n6337dus | 57.9000 | ![]() | 2457 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6337dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 27 V | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4746A | - | ![]() | 5397 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | カットテープ(CT) | 廃止 | ±5% | 200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | FFA20U20DNTU | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.2 V @ 20 a | 40 ns | 20 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | 1SMA4746 | 0.4000 | ![]() | 99 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1 W | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 18オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3039d-1/tr | 32.2392 | ![]() | 8362 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3039d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||||
![]() | VS-12TQ035S-M3 | 0.6706 | ![]() | 4297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 12TQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 35 v | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
SS14LHM2G | - | ![]() | 4943 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS14 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | 50HQ040 | 169.3350 | ![]() | 3507 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 50hq040ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 60 a | 2 MA @ 40 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | BZX55C9V1-TAP | 0.2300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C9V1 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4937GPE-E3/54 | 0.1754 | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | S4J R7G | 0.5100 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S4J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.15 V @ 4 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | UFS505JE3/TR13 | 1.8750 | ![]() | 4683 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | UFS505 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CZRU12VB-HF | 0.0680 | ![]() | 8504 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CZRU12 | 150 MW | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 22オーム | ||||||||||||
![]() | MM1Z4689 | 0.0404 | ![]() | 2654 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MM1Z4689TR | 8541.10.0000 | 24,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | |||||||||||||||
![]() | 1n4755aur/tr | 3.6200 | ![]() | 9569 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | ||||||||||||||||
1N5234B/TR | 3.6442 | ![]() | 1003 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5234B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | PDZVTR4.7B | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | PDZV | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.05% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-128 | PDZVTR4.7 | 1 W | PMDTM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 4.95 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | SFAF504G | 1.5200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF504 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 25FR10 | 2.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-25FR10 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.2 V @ 25 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 25a | - | |||||||||||
![]() | 1N2067R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2067R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 900 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 900 V | -65°C〜190°C | 275a | - | |||||||||||
Jan1n4104c-1 | 10.5000 | ![]() | 3889 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4104 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5265B TR TIN/LEAD | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | |||||||||||||
![]() | SMBG4752/TR13 | - | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG4752 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4448WS | 0.0290 | ![]() | 45 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 1N4448 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 8541.10.0000 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 100 Na @ 75 V | -55°C〜150°C | 150ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
Jan1n4625d-1 | 12.0000 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4625 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500オーム |
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