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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N4448WS	0.0290	RFQ	45	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-90、SOD-323F	1N4448	標準		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			8541.10.0000	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	100 Na @ 75 V	-55°C〜150°C	150ma	2PF @ 0V、1MHz
Jan1n4625d-1	12.0000	RFQ	2417	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4625		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500オーム
1N4711UR-1	5.0850	RFQ	3217	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N4711		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 100 MA		10 Na @ 20.4 v				27 v
SMZJ3798BHE3_B/i	0.1500	RFQ	3936	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3798		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3798BHE3_B/ITR	ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 18.2 v				24 v	19オーム
SMBJ5918AE3/TR13	0.8850	RFQ	2551	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5918		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				5.1 v	4オーム
SZMMSZ5259BT1	0.0500	RFQ	30	onsemi	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 30 V				39 v	80オーム
MF400U12F2	46.1600	RFQ	800	Yangjieテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		標準		F2	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MF400U12F2	ear99		8		高速回復= <500ns		1200 v		2.1 V @ 400 a	180 ns	1 MA @ 1200 v	-40°C〜150°C	400a	-
1N4580AUR-1	5.4300	RFQ	5774	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N4580		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V					25オーム
jantxv1n963c-1/tr	8.0332	RFQ	9161	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n963c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v				12 v	11.5オーム
s3bhe3_a/h	0.4800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3B	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		標準回復> 500ns		100 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
1N5237C-TAP	0.0288	RFQ	6964	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5237		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 6.5 v				8.2 v	8オーム
SL04-HE3-18	0.0627	RFQ	4743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SL04	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50,000		高速回復= <500ns		40 v		540 mV @ 1.1 a	10 ns	20 µA @ 40 V	175°C （最大）	1.1a	65pf @ 4V、1MHz
HS1DL RHG	-	RFQ	2431	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	HS1D	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
jantx1n6491c	-	RFQ	7748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		500 NA @ 2 V				5.6 v	5オーム
BZX55B39-TR	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B39		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V				39 v	90オーム
cdll4757/tr	3.2319	RFQ	2543	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ				DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4757/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 38.8 v				51 v	95オーム
MUR2X060A06	47.1200	RFQ	4	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	Mur2x060	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		1242-1311	ear99	8541.10.0080	52		高速回復= <500ns	2独立	600 V	60a	1.5 V @ 60 a	90 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
2BZX84C18	0.0363	RFQ	1	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-2BZX84C18TR		8541.10.0000	3,000	1ペア共通アノード							50 Na @ 12.6 v				18 v	45オーム
jan1n4101cur-1	22.3200	RFQ	2172	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4101			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.3 v				8.2 v	200オーム
Bay72tr	0.0300	RFQ	110	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	8,663		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		125 v		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 100 V	175°C （最大）	200mA	5PF @ 0V、1MHz
BZM55B4V3-TR	0.3200	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55B4V3		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V				4.3 v	600オーム
CZ5337C TR	-	RFQ	5571	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-201AA			5 W	DO-2011	ダウンロード		1 （無制限）		CZ5337CTR	ear99	8541.10.0050	1,400						1.2 V @ 1 a		10 µA @ 1 V				4.7 v	2オーム
ES3JB	0.3500	RFQ	7230	うねり	-	バッグ	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2616-ES3JB	3A001	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 3 a	35 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
PTZTE256.2B	0.2014	RFQ	4214	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	±6.06％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	PTZTE256.2		1 W	PMDS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500								20 µA @ 3 v				6.6 v	6オーム
1N4467 TR PBFREE	0.3465	RFQ	5312	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								200 Na @ 9.6 v				12 v	7オーム
jantxv1n4995c	-	RFQ	7468	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 274 v				360 v	1400オーム
MMBZ5257C-G3-18	-	RFQ	5739	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5257		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
CD5546B	2.0349	RFQ	3517	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5546B	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		10 Na @ 29.7 v				33 v	100オーム
MMSZ4689-G3-08	0.3100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4689		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								10 µA @ 3 V				5.1 v
jantxv1n3154-1	-	RFQ	3182	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/158	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 a		10 µA @ 5.5 v				8.8 v	15オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²