画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RDS81010XX | - | ![]() | 8160 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | 廃止 | クランプオン | - | 標準 | - | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 750 mV @ 4000 a | 25 µs | 300 mA @ 1000 v | 10000a | - | |||||||||||||
![]() | BZT52C16 RHG | 0.0412 | ![]() | 5070 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | janhca1n4617c | - | ![]() | 4859 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4617c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 2.4 v | 1400オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4743A-TAP | 0.3600 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4743 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||
jantx1n4120d-1/tr | 16.3856 | ![]() | 1859 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4120d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX85C36 R0G | 0.0645 | ![]() | 3469 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 25 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | S3D40065D | 11.5200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | S3D40065 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 650 V | 48a | 1.7 V @ 20 a | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | SMBJ5373BHE3-TP | 0.2360 | ![]() | 8794 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5373 | 5 W | do-214aa | ダウンロード | 353-SMBJ5373BHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 44オーム | ||||||||||||||
![]() | CZRV5236B-G | 0.0595 | ![]() | 2957 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -60°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | CZRV5236 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | ||||||||||||
![]() | TFZFHTR5.6B | 0.1075 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | TFZFHTR5.6 | 500 MW | tumd2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 13オーム | |||||||||||||
CDLL3032A | 15.3000 | ![]() | 6308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3032 | 1 W | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||||
Jan1N4120-1 | 4.1100 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4120 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | CMHZ5264B TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | CMHZ5264 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | ||||||||||||
![]() | BZD27B10P-E3-08 | 0.1155 | ![]() | 3659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 7 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | SMBZ5940B-E3/52 | 0.1676 | ![]() | 8911 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5940 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | ||||||||||||
![]() | PAA9T9G01210 | - | ![]() | 3940 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | バルク | アクティブ | PAA9T9 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 10 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PDB2CD631215 | - | ![]() | 5782 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 10 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PCDP1265GB_T0_00601 | 6.5100 | ![]() | 8950 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | PCDP1265 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-PCDP1265GB_T0_00601 | 50 | 高速回復= <500ns | 650 V | 1.6 V @ 12 a | 100 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 12a | 529pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | GI854/MR854 | 0.3200 | ![]() | 98 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-GI854/MR854 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 200 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 3a | 28pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | RB088T100NZC9 | 2.4100 | ![]() | 993 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RB088 | ショットキー | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RB088T100NZC9 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 870 mV @ 5 a | 5 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
jan1n4491c | 24.3600 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4491 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 96 v | 120 v | 400オーム | |||||||||||||
![]() | GS5DQ | 0.1550 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GS5DQTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PD30KN16 | - | ![]() | 1877 | 0.00000000 | avx | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 80 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 30a | 1.29 V @ 90 a | 5 ma @ 1600 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | PG4003_R2_00001 | 0.0195 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | PG4003 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 60,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | CZRA5922B-G | 0.1352 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CZRA5922 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | 2EZ3.6D2E3/TR8 | - | ![]() | 1510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2ez3.6 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 80 µA @ 1 V | 3.6 v | 5オーム | |||||||||||||
BZD27C51PHMTG | - | ![]() | 3224 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84C33S-7-F | 0.0756 | ![]() | 1774 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.06% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BZX84 | 200 MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BZX84C33S-FDITR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2独立 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | ||||||||||
![]() | 2EZ36D10E3/TR8 | - | ![]() | 4490 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ36 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 27.4 v | 36 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | BAT854W 、115 | 0.0300 | ![]() | 4422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAT85 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 |
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