画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CBR6F-010 | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | 4 平方メートル、 cm | CM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DLE30C | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | DLE30 | 標準 | 軸 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 980 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||||
![]() | TS50P07G C2G | - | ![]() | 5015 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS50P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 1000 v | 50 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | SBRT10U60D1-13 | 0.8800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | SBRT10 | スーパーバリア | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 520 mV @ 10 a | 400 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | MMB10G-G | - | ![]() | 9506 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | MMB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 800 Ma | 5 µA @ 1000 v | 800 Ma | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ16et1 | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ16 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | KBPC2508-G | 9.9600 | ![]() | 482 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、KBPC | KBPC2508 | 標準 | KBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 800 V | 25 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | ES2JFL | 0.0954 | ![]() | 1634 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ES2JFLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52C4V3SQ | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C4V3SQTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HPZR-C28X | 0.3900 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | HPZR | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123W | 962 MW | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 24 V | 28 v | 37.1オーム | ||||||||||||||
![]() | 3EZ10D5-TP | 0.1020 | ![]() | 1890 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3EZ10 | 3 W | DO-15 | ダウンロード | 353-3EZ10D5-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 7.6 v | 10 v | 3.5オーム | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C12,113 | 0.0400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV85-C12,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 200 Na @ 8.4 v | 12 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ5918BE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 4524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5918 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | udzs12b | 0.0354 | ![]() | 4838 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | udzs12 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-DZS12BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 90 na @ 9 v | 12 v | 20オーム | ||||||||||||||
Jan1n6334us | 13.3800 | ![]() | 4047 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6334 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRB3060CT | 0.4328 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB3060 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | - | 770 mV @ 15 a | 5 ma @ 60 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BYW27-600-CT | 0.4083 | ![]() | 5849 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | byw27 | 標準 | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-byw27-600-ct | 8541.10.0000 | 25 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 1.5 µs | 200 Na @ 600 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n5532bur-1 | 16.8900 | ![]() | 8295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.8 v | 12 v | 90オーム | |||||||||||||||
JANTX1N6340US | 18.0900 | ![]() | 2627 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6340 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 36 V | 47 v | 75オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N3007B | 6.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N3007 | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3007B | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 5 µA @ 83.6 v | 110 v | 55オーム | ||||||||||||
![]() | egl34ahe3_a/h | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | EGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | 影響を受けていない | egl34ahe3_b/h | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | PZU24B1,115 | 0.0300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PZU24B1,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | TS25P01G C2G | - | ![]() | 7939 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25P01 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 50 V | 25 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | 1SMB2EZ27_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 550 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB2 | 2 W | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 18オーム | ||||||||||||||
jans1n4468cus/tr | 246.7308 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4468cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n3020d-1/tr | 33.8618 | ![]() | 4946 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3020d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µa @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | TS8P03GHC2G | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS8P03 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 v | 8 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | MMBD1701A | 0.1000 | ![]() | 966 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1.1 V @ 50 mA | 1 ns | 50 na @ 20 v | 150°C (最大) | 50ma | 1PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | UB8CT-E3/8W | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UB8 | 標準 | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | NSD03A40 | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | avx | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | NSMC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 3 a | 50 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 3a | - |
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