画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n3310b | - | ![]() | 9928 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 0.8オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5819A-01 | - | ![]() | 1110 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 廃止 | - | - | 1N5819 | - | - | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 31-1N5819A-01 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | MBR10200CTC0 | - | ![]() | 9745 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1020 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MBRF735 C0G | - | ![]() | 1397 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | MBRF735 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | 7.5a | - | ||||||||||||
![]() | BZT55A12-GS18 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | PDZ4.7B-QF | 0.0310 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 400 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1727-PDZ4.7B-QFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | MB356W | - | ![]() | 2714 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 平方メートル、MB-35W | MB356 | 標準 | MB-35W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MB356WMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 600 V | 35 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | MB2505W | - | ![]() | 4712 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4 平方メートル、MB-35W | MB2505 | 標準 | MB-35W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MB2505WMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 12.5 a | 10 µA @ 50 V | 25 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | MBR10U100HHE3-TP | 1.3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | MBR10 | ショットキー | TO-277 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 353-MBR10U100HHE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 10 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 10a | 320pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SBT30100VCT_T0_00001 | - | ![]() | 8758 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | SBT30100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 3757-SBT30100VCT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 720 mv @ 15 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | jantx1n4112cur-1/tr | 21.9051 | ![]() | 2817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4112cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | CDS979B-1 | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS979B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
1N5522C | 11.3550 | ![]() | 7623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5522C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5552 | - | ![]() | 5176 | 0.00000000 | Semtech Corporation | mil-prf-19500/420 | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 1N5552 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1 V @ 3 a | 2 µs | 1 µA @ 600 V | - | 5a | 92pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5349B | 0.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N5349B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 9.1 v | 12 v | 2.5オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n5415 | - | ![]() | 3540 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/411。 | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.1 V @ 3 a | 150 ns | 1 µA @ 50 V | - | 4.5a | 550pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
Jan1N4470 | 8.1900 | ![]() | 8967 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4470 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム | ||||||||||||||
1N4744AG/TR | 3.3649 | ![]() | 1283 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N474444AG/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4046R | - | ![]() | 7605 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N4046 | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1N4046RPX | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 150 v | 15 mA @ 150 v | -65°C〜190°C | 275a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5249B-G | - | ![]() | 2737 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | - | 175°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-1N5249B-GTB | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | MBR2035CT-E3/45 | - | ![]() | 5828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 10a | 650 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | RD30E-T2-AZ | 0.0300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ2S10000L | - | ![]() | 9918 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | - | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | DZ2S10 | 150 MW | SSMINI2-F5-B | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 50 Na @ 7 V | 10 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | CD214A-B140LR | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CD214a | ショットキー | 2-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 380 mV @ 1 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | jan1n4627dur-1/tr | 18.7264 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4627dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | ||||||||||||||
RLZTE-113.9B | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | LLDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 50オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4464 | 2.3330 | ![]() | 8188 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N4464 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 300 NA @ 5.46 v | 9.1 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-88HF20 | 8.8342 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 88HF20 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS88HF20 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||||
![]() | VS-80-6008 | - | ![]() | 1935年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-6008 | - | 112-VS-80-6008 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
jan1n4113c-1/tr | 9.4430 | ![]() | 9182 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4113c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.5 v | 19 v | 150オーム |
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