画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N1124R | 1.9500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N1124R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 30 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||||||||
![]() | BZG05B5V1-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.96% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B5V1 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 1.5 v | 5.1 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5233 | - | ![]() | 7186 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | - | 200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MM3Z39VB | 1.0000 | ![]() | 6928 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 27.3 v | 39 v | 122オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | HS2M | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS2M | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | bav70hyt116 | 0.4800 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 450ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C | ||||||||||||||
BZX84C2V7Q-7-F | 0.0357 | ![]() | 2200 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.41% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-BZX84C2V7Q-7-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | ||||||||||||||||
![]() | SML4738AHE3/5A | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4738 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | KCF25A40 | 2.4450 | ![]() | 5188 | 0.00000000 | avx | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | TO-247 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | - | 400 V | 25a | 1.25 V @ 12.5 a | 60 ns | 50 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
BAS101,215 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS101 | 標準 | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 300 V | 1.1 V @ 100 MA | 50 ns | 150 NA @ 250 V | 150°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
RS1DL RTG | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | V12P10HE3/87A | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 700 mV @ 12 a | 250 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||||
![]() | RD39E-T2-AZ | 0.0600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | au2pdhm3/87a | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au2 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.9 V @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1.6a | 42pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | GC4432-M1 | - | ![]() | 9893 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 1208 (3020 メトリック) | M1 | - | 影響を受けていない | 150-GC4432-M1TR | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 Ma | 0.5pf @ 50V、1MHz | ピン -シングル | 300V | 1OHM @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ045SPBF | - | ![]() | 5072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 30CTQ045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 MA @ 45 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||||
![]() | AZ23C2V7W-TP | 0.0721 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | AZ23C2V7 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | 353-AZ23C2V7W-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 2.7 v | 83オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5542bur-1/tr | 7.4600 | ![]() | 7087 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 130 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 21.6 v | 24 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | Hz6b3l-e | 0.1000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ27J 、115 | 0.0300 | ![]() | 5674 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 40オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CMR3U-06 TR13 PBFREE | 0.1950 | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | CMR3U-06 | 標準 | SMC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 3 a | 100 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | Jan1N4971 | - | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4971 | 5 W | 軸 | ダウンロード | jan1n4971s | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CDSF4148 | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CDSF4148 | 標準 | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | 125°C (最大) | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | ZMC75 | 0.0580 | ![]() | 9240 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMC75TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 Na @ 56 v | 75 v | 250オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5249B TR PBFREE | 0.0610 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | CMDZ5249 | 250 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5920E3/TR13 | - | ![]() | 3578 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5920 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||||||||||
![]() | 2EZ7.5DE3/TR12 | - | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ7.5 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 7.5 v | 2オーム | ||||||||||||||||
1N6078US | 36.6150 | ![]() | 8313 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 1N6078 | 標準 | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.76 V @ 18.8 a | 30 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜155°C | 6a | - | |||||||||||||||
Jan1n6338d | 49.5300 | ![]() | 8308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6338d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 30 V | 39 v | 55オーム | |||||||||||||||||||
![]() | DF1506S | 0.9408 | ![]() | 6054 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF1506 | 標準 | DF-S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 単相 | 600 V |
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