画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5236et1g | - | ![]() | 6754 | 0.00000000 | onsemi | MMSZ52XXXT1G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ523 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | |||||||||||||||
![]() | jans1n6351us | 131.8800 | ![]() | 6118 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 99 v | 122 v | 850オーム | ||||||||||||||||
![]() | GS1000FL-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 5383 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | SOD-123F | GS1000 | 標準 | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-GS1000FL-AU_R1_000A1DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 1a | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N3340B | 9.5000 | ![]() | 290 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3340 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2383-1N3340B | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 5 µA @ 76 v | 100 V | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | CZRER52C39-HF | - | ![]() | 2045 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0503(1308 メトリック) | 150 MW | 0503(1308 メトリック) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 29 v | 39 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | SD101CW-7-F-79 | - | ![]() | 7686 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-SD101CW-7-F-79TR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 900 mV @ 15 Ma | 1 ns | 200 Na @ 30 V | -65°C〜125°C | 15ma | 2.2pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
AZ23B2V7-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B2V7 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 2.7 v | 83オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N3154a/tr | 6.6300 | ![]() | 3984 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N3154 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3154a/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 143 | 10 µA @ 5.5 v | 8.4 v | 15オーム | ||||||||||||||||
CDLL5926C | 7.8450 | ![]() | 2634 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5926 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1S-TP | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZT52C9V1 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | CMDZ5235B BK PBFREE | 0.1727 | ![]() | 2089 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | CMDZ5235 | 250 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-60APU06PBF | - | ![]() | 5855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 60apu06 | 標準 | TO-247AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.68 V @ 60 a | 81 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||||
UZ140 | 22.4400 | ![]() | 3212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 3 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ140 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 304 v | 400 V | 3500オーム | ||||||||||||||||||
![]() | VS-EPU6006L-N3 | 2.5000 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | EPU6006 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 60 a | 110 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | |||||||||||||
![]() | VS-APU6006-N3 | 3.2200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | APU6006 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 30 a | 45 ns | 30 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | GBU8JL-6088E3/51 | - | ![]() | 1388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU8 | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 600 v | 3.9 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
![]() | SS35-1HE3_B/i | - | ![]() | 2282 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS35 | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | S12JC R6G | - | ![]() | 9948 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S12JCR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 12 a | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FR6K05 | 5.0745 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6K05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.4 V @ 6 a | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||||||||||||
![]() | MBR4035PT C0G | - | ![]() | 6700 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR4035 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 40a | 800 mV @ 40 a | 1 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
MB220F_R1_00001 | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AA | MB220F | ショットキー | SMBF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MB220F_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 2 a | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jantxv1n6322cus | 57.1050 | ![]() | 8299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||||||||
BZX84C10Q-13-F | 0.0280 | ![]() | 9398 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-BZX84C10Q-13-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | CD214A-B120LF | - | ![]() | 6950 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CD214a | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX584B16V | 0.0200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX584B16VTR | ear99 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S4B M6G | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S4B | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | NHP620LFST1G | 0.6012 | ![]() | 5573 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-1023、4-LFPAK | NHP620 | 標準 | lfpak4 (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 6 a | 50 ns | 500 NA @ 200 V | -55°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52C62-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 2313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C62 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 62 v | 150オーム | ||||||||||||||||
![]() | 2EZ18D5/TR12 | 2.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ18 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | V8PM10S-M3/i | 0.5400 | ![]() | 9947 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | v8pm10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 780 mV @ 8 a | 200 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | 8a | 860pf @ 4V、1MHz |
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