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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
gbu4j	1.8100	RFQ	1	onsemi	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU4	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20						1 V @ 4 a		5 µA @ 600 v		4 a		単相	600 V
1N1198R	2.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N1198R	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns		600 V		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C	40a	-
V35PWM153-M3/i	1.1500	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3		ショットキー		Slimdpak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns		150 v		1.05 V @ 35 a		200 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	35a	1420pf @ 4V、1MHz
SMBJ5358CHE3-TP	-	RFQ	5469	Micro Commercial Co	-	バルク	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5358		5 W	do-214aa	-				353-SMBJ5358CHE3-TP	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 16.7 v						22 v	3.5オーム
SMAJ5918AE3/TR13	0.6450	RFQ	3208	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5918		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 v	4オーム
CMHZ4698 TR	-	RFQ	7692	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード			影響を受けていない	1514-CMHZ4698TR	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 8.4 v						11 v
VS-HFA08TB120-M3	1.4500	RFQ	3892	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	HFA08	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		1200 v		4.3 V @ 12 a	95 ns	10 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	8a	-
MBR10200FH-BP	0.4482	RFQ	9870	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2分離タブ	MBR10200	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード				353-MBR10200FH-BP	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		200 v		850 mv @ 5 a		10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	10a	300pf @ 4V、1MHz
VLZ9V1B-GS08	-	RFQ	1388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz9v1		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 8.14 v						8.76 v	8オーム
BZX84-B27,215	0.2100	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-B27		250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 18.9 v						27 v	80オーム
BZX84C18W_R1_00001	0.1600	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84		200 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BZX84C18W_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 12.6 v						18 v	45オーム
MBR3040FCT_T0_00001	0.4374	RFQ	7631	Panjit International Inc.	MBR3040FCT	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	MBR3040	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MBR3040FCT_T0_00001	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	30a	700 mV @ 15 a		100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
SMZJ3798bhm3_b/i	0.1500	RFQ	9271	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3798		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3798BHM3_B/ITR	ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 18.2 v						24 v	19オーム
SS16LS	0.0623	RFQ	6213	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123H	SS16	ショットキー		SOD-123HE	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-SS16LSTR	ear99	8541.10.0080	20,000		高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 1 a		400 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	80pf @ 4V、1MHz
1N4741UR-1/TR	3.6200	RFQ	8031	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	272						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8.4 v						11 v	8オーム
SMD26PLHE3-TP	0.0954	RFQ	4732	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOD-123F	SMD26	ショットキー		SOD-123FL	ダウンロード				353-SMD26PLHE3-TP	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		60 V		850 mV @ 2 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	60pf @ 4V、1MHz
SMBJ5925BE3/TR13	0.8850	RFQ	6863	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5925		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8 V						10 v	4.5オーム
MBR650_T0_00001	0.5130	RFQ	8817	Panjit International Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	MBR650	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MBR650_T0_00001	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		50 v		750 mv @ 6 a		50 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	6a	-
KBP202	0.8500	RFQ	6	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-50°C〜125°C	穴を通して	4-sip、kbp		標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-kbp202		8541.10.0000	100						1 V @ 1 a		10 µA @ 200 v		2 a		単相	200 v
DBL107GH	0.2394	RFQ	6083	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL107	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1 a		2 µA @ 1000 V		1 a		単相	1 kV
BZX84J-C68,115	0.0300	RFQ	30	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX84J-C68,115-954			11,823						1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 47.6 v						68 v	160オーム
GBJ2001	0.8240	RFQ	1041	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-esip	GBJ2001	標準		GBJ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	15						1.1 V @ 20 a		5 µA @ 100 V		20 a		単相	100 V
UG3KB05G	0.1823	RFQ	7373	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-esip	UG3KB05	標準		D3K	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	35						1.1 V @ 3 a		5 µA @ 50 V		3 a		単相	50 v
1PS76SB10-QF	0.0351	RFQ	6191	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	1PS76SB10	ショットキー		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		800 mV @ 100 Ma		2 µA @ 25 V	125°C	200mA	10pf @ 1V、1MHz
KBP201G	0.1531	RFQ	4794	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-esip	KBP201	標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	35						1.1 V @ 2 a		5 µA @ 100 V		2 a		単相	100 V
mtzj6v2sb	0.0305	RFQ	5350	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	mtzj6		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MTZJ6V2SBTR	ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 3 V						6.2 v	60オーム
SDUR1560	0.9000	RFQ	745	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	SDUR15	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 15 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	-	-
MSC090SDA330B2	383.0400	RFQ	27	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	MSC090	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC090SDA330B2	ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma		3300 v		2.4 V @ 90 a	0 ns	200 µA @ 3300 v	-55°C〜175°C	184a	6326pf @ 1V、1MHz
DBF20C	0.6000	RFQ	193	onsemi	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-DBF20C-488			1
DZ23C27	0.0240	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-DZ23C27TR	ear99		3,000	1ペア共通カソード													27 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²