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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GSIB1580-5402E3/45	-	RFQ	5210	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB1580	標準		GSIB-5S	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1					950 mV @ 7.5 a		10 µA @ 800 V		3.5 a		単相	800 V
B380C800DM-E3/45	0.6400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜125°C	穴を通して	4-EDIP （0.300 "、7.62mm）	B380	標準		DFM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50					1 V @ 900 Ma		10 µA @ 600 V		900 Ma		単相	600 V
SZMMBZ5252BLT1G	0.2000	RFQ	12	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	SZMMBZ5252		225 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 18 V						24 v	33オーム
RBV3508	2.8100	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C	穴を通して	4-sip、RBV-25		標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV3508		8541.10.0000	500					1.1 V @ 17.5 a		10 µA @ 800 V		35 a		単相	800 V
1N3613/tr	5.2800	RFQ	3552	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3613/tr	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a		1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
MUR30005CT	-	RFQ	6108	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	ツインタワー		標準		ツインタワー	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		MUR30005CTGN	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	150a	1.3 V @ 100 a	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
RBR10BM60ATL	1.0900	RFQ	1	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません			表面マウント	to-252-3	RBR10	ショットキー		TO-252	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	5a	650 mv @ 5 a		200 µA @ 60 V	150°C
VS-3C08ETOTT-M3	-	RFQ	1708	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	112-VS-3C08ETOTT-M3	ear99	8541.10.0080	1
TS15P07G-K D2G	-	RFQ	9225	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p		標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	TS15P07G-KD2G	ear99	8541.10.0080	15					1.1 V @ 15 a		10 µA @ 1000 v		15 a		単相	1 kV
CD1005-S01575	-	RFQ	9797	Bourns Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	1005 （2512 メトリック）	CD1005	標準		1005	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1 V @ 50 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-40°C〜125°C	150ma	4PF @ 1V 、100MHz
RBR1VWM30ATR	0.4900	RFQ	2	Rohm Semiconductor	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、フラットリード	RBR1VWM	ショットキー		PMDE	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		480 mV @ 1 a		50 µA @ 30 V	150°C	1a	-
SS1200FH-TP	0.1042	RFQ	9075	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-90、SOD-323F	SS1200	ショットキー		SOD-323FH	ダウンロード				353-SS1200FH-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 1 a		10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	-
BZT52C13LPQ-7	0.0672	RFQ	3950	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.53％	-65°C〜150°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	BZT52		250 MW	x1-dfn1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	BZT52C13LPQ-7DI	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						13 v	30オーム
hzs3blltd-e	0.0900	RFQ	282	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
vs-6cwq06fnhm3	1.8800	RFQ	7123	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6CWQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs-6cwq06fnhm3gi	ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	3.5a	610 mv @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40°C〜150°C
SS2030FL_R1_00001	0.4100	RFQ	9	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123F	SS2030	ショットキー		SOD-123FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 2 a		100 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	2a	-
kdzlvtr56	0.4500	RFQ	5	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.25％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	kdzlvtr56		1 W	PMDU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							5 µA @ 43 v						56 v
SMMSZ4698T1G	-	RFQ	3022	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	SMMSZ4698		500 MW	SOD-123	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 8.4 v						11 v
ES3C-E3/57T	0.6300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3C	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
SML4752HE3/5A	-	RFQ	4985	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4752		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 25.1 v						33 v	45オーム
jantxv1n6621us/tr	18.4500	RFQ	1419	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		D-5a	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n6621us/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		440 v		1.4 V @ 1.2 a	30 ns	500 NA @ 440 v	-65°C〜150°C	1.2a	-
BAS70-04W-QF	0.0434	RFQ	7979	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS70	標準		SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BAS70-04W-QFTR	ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペアシリーズ接続	70 v	70ma	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C
1n746aur-1/tr	2.8462	RFQ	3255	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N746AUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						3.3 v	24オーム
BZX584C8V2HE3-TP	0.0515	RFQ	3591	Micro Commercial Co	aec-q101	バルク	アクティブ	±6.1％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	ダウンロード				353-BZX584C8V2HE3-TP	ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		700 na @ 5 v						20 v	15オーム
SB3H150	0.2014	RFQ	8664	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-201AA		ショットキー		DO-2011	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-SB3H150TR		8541.10.0000	1,000	高速回復= <500ns		150 v		820 mV @ 3 a		2 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	3a	-
rs2bh	0.0984	RFQ	1596	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-RS2BHTR	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	50pf @ 4V、1MHz
VI30100CHM3/4W	-	RFQ	3498	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI30100	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	15a	800 mV @ 15 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
ZMD22	0.0802	RFQ	10	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			1 W	DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-ZMD22TR		8541.10.0000	2,500							500 NA @ 15 V						22 v	25オーム
CMZ5334B TR13	-	RFQ	2007年	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-214ab 、mc			2 W	SMC	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		150 µA @ 1 V						3.6 v	3オーム
BZX884B27L-G3-08	0.3200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX884L	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）	BZX884		300 MW	DFN1006-2A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 18.9 v						27 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²