画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52C3V6S | 0.0357 | ![]() | 7453 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C3V6STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 4.5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | Hzu10b1trf-e | 0.1000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5927AE3/TR13 | - | ![]() | 9637 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5927 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | ||||||||||||||||
D8JB60 | 0.3150 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-D8JB60 | ear99 | 900 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGL1JR13 | 0.0810 | ![]() | 30 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-RGL1JR13TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N4740G R0G | 0.0627 | ![]() | 6810 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4740 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 10 v | 10オーム | ||||||||||||||||
CBR1-D020 PBFREE | 0.1852 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | CBR1-D020 | 標準 | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | WNSC2D20650CJQ | 3.4196 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | to-3pf | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | ||||||||||||||||
CBR1-D040 PBFREE | 0.1884 | ![]() | 4374 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | CBR1-D040 | 標準 | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||
![]() | SD175SC100A.T2 | 1.2806 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SD175 | ショットキー | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0040 | 490 | 高速回復= <500ns | 100 V | 840 mV @ 30 a | 750 µA @ 100 V | -55°C〜200°C | 30a | 1200pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SKBPC2506 | 2.0820 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SKBPC2506 | ear99 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK85 | 0.2748 | ![]() | 39 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-SK85TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 8 a | 200 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||||||
![]() | jantx1n3044cur-1/tr | 33.2500 | ![]() | 6330 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3044cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | |||||||||||||||||
CBR1-D060 PBFREE | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | CBR1-D060 | 標準 | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | 1n4618d/tr | 5.9850 | ![]() | 6410 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4618d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5519d-1/tr | 19.5776 | ![]() | 1870年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5519d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||||||||
![]() | GBS4K | 0.9390 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | 箱 | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip | 標準 | 4-sip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2721-gbs4k | 8541.10.0000 | 500 | 1.05 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | 2.3 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B36,133 | 0.0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 16,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | ACZRA4752-HF | 0.1711 | ![]() | 2312 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ACZRA4752 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-74-7704 | - | ![]() | 7593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 74-7704 | - | 112-VS-74-7704 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4148 | 0.1200 | ![]() | 323 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | LL414 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | -55°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | GBJ2504-G | 1.5677 | ![]() | 9123 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ2504 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 400 V | 25 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||||
![]() | PZU11B2L 、315 | 0.0431 | ![]() | 8078 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | PZU11 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | ZGL41-130A-E3/96 | 0.5600 | ![]() | 7823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZGL41 | 1 W | gl41(do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 450オーム | ||||||||||||||||
![]() | MBRB735-E3/45 | - | ![]() | 9887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB7 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 7.5a | - | |||||||||||||||
![]() | HZS27-2TD-E | - | ![]() | 8027 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZM5223C-GS08 | - | ![]() | 7390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5223 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | MSS40-045-P86 | 44.4288 | ![]() | 50 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | - | トレイ | アクティブ | -65°C〜150°C | P86 | MSS40 | P86 | - | 1 (無制限) | 1465-MSS40-045-P86 | ear99 | 8541.10.0070 | 25 | 50 Ma | 100 MW | 0.3pf @ 0V、1MHz | Schottky-シングル | 3V | 7OHM @ 5MA、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | cdll5256d/tr | 8.5950 | ![]() | 5718 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5256D/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MBR40200PT-BP | 1.4687 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | MBR40200 | ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 353-MBR40200PT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 40a | 910 mv @ 20 a | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C |
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