SIC
close

ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
CDLL4496/TR Microchip Technology cdll4496/tr 14.2310
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C（タタ 表面マウント do-213ab、メルフ（ガラス） 1.5 w do-213ab - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-cdll4496/tr ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 mA 250 na @ 160 v 200 v 1500オーム
PTZTE2536B Rohm Semiconductor PTZTE2536B 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません ±5％ - 表面マウント DO-214AC、SMA PTZTE2536 1 W PMDS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 10 µA @ 27 V 39.2 v 20オーム
UZ7713 Microchip Technology UZ7713 468.9900
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C スタッドマウント スタッド 10 W 軸 - 影響を受けていない 150-UZ7713 ear99 8541.10.0050 1 50 µA @ 9.9 v 13 v 1.5オーム
JANTX1N3891 Microchip Technology jantx1n3891 299.2500
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/304 バルク アクティブ スタッドマウント do-203aa 1N3891 標準 do-203aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 1.5 V @ 38 a 200 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜175°C 12a -
MM3Z18VST1G onsemi MM3Z18VST1G 0.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 MM3Z18 300 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 12.6 v 18 v 45オーム
RB451UMTL Rohm Semiconductor rb451umtl 0.4400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-85 RB451 ショットキー umd3f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 450 mV @ 100 Ma 90 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 6PF @ 10V、1MHz
JAN1N4110UR-1/TR Microchip Technology jan1n4110ur-1/tr 5.1870
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n4110ur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 12.2 v 16 v 100オーム
BZT52C30S-7-F Diodes Incorporated BZT52C30S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±7％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 21 V 30 V 80オーム
ES2A YAGEO ES2A 0.4800
RFQ
 ECAD 2434 0.00000000 Yageo - テープ＆リール（ tr） アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 3,000
SMAJ4746A-TP Micro Commercial Co smaj4746a-tp 0.4300
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SMAJ4746 1 W do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 100 MA 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
MZP4740ARLG onsemi MZP4740ARLG -
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 MZP47 3 W 軸 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 7.6 v 10 v 7オーム
CDLL6017B Microchip Technology CDLL6017B 2.7150
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA - 影響を受けていない 150-CDLL6017B ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 39 v 51 v 180オーム
APT50SCE65B Microsemi Corporation APT50SCE65B -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 Microsemi Corporation * チューブ 廃止 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30
BZV55-B75,115 NXP Semiconductors BZV55-B75,115 -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW llds;ミニフル ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV55-B75,115-954 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 52.5 v 75 v 255オーム
MMBZ4713-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4713-G3-18 -
RFQ
 ECAD 5463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4713 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 10 Na @ 22.8 v 30 V
1N5407 NTE Electronics, Inc 1N5407 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ 穴を通して DO-201AA 標準 軸 ダウンロード ROHS3準拠 2368-1N5407 ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 800 V 1 V @ 3 a 10 µA @ 800 V -65°C〜170°C 3a -
MBRX02530-TP Micro Commercial Co MBRX02530-TP -
RFQ
 ECAD 6372 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 MBRX02530 ショットキー SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 550 mV @ 250 Ma 500 µA @ 30 V -55°C〜150°C 250ma -
2W10M GeneSiC Semiconductor 2w10m -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -65°C〜125°C 穴を通して 4 円、 wom 標準 WOM ダウンロード 1 （無制限） 2W10MGN ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 1000 v 2 a 単相 1 kV
SBR0220T5-7 Diodes Incorporated SBR0220T5-7 0.3900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ダイオードが組み込まれています SBR® テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 SBR0220 スーパーバリア SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 470 mV @ 200 Ma 40 µA @ 20 V -65°C〜150°C 200mA -
1N5233BTR onsemi 1N5233BTR 0.1600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5233 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 3.5 v 6 v 7オーム
BYT60P-400 STMicroelectronics BYT60P-400 -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 穴を通して SOD-93-2 BYT60 標準 SOD-93 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 300 高速回復= <500ns 2独立 400 V 60a 1.5 V @ 60 a 100 ns 60 µA @ 400 v 150°C （最大）
F1842CAD1600 Sensata-Crydom F1842CAD1600 -
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 sensata-cryd om - バルク 廃止 シャーシマウント モジュール 標準 モジュール ダウンロード 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 1600 v 40A （DC） 1.4 V @ 120 a -40°C〜125°C
MMSZ5239B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5239B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 503 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5239 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10オーム
MMSZ5229BT1 onsemi MMSZ5229BT1 -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ522 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
JANS1N6642US.TR Semtech Corporation jans1n6642us.tr -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Semtech Corporation * テープ＆リール（ tr） sicで中止されました - 600-JANS1N6642US.TR ear99 8541.10.0070 250
JANTXV1N4967DUS/TR Microchip Technology jantxv1n4967dus/tr 51.2700
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 マイクロチップテクノロジー MIL-PRF-19500/356 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 5 W e-melf - 150-jantxv1n4967dus/tr ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 18.2 v 24 v 5オーム
SMAZ6V8-13-F Diodes Incorporated smaz6v8-13-f 0.4700
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA Smaz6 1 W SMA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 4 V 6.8 v 2オーム
PN411611 Powerex Inc. PN411611 -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Powerex Inc. - バルク アクティブ シャーシマウント Pow-R-Blok™モジュール 標準 Pow-R-Blok™モジュール ダウンロード ROHS準拠 ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 1600 v 1200a 1.25 V @ 3000 a 22 µs 200 mA @ 1600 v -40°C〜150°C
JANS1N6635US/TR Microchip Technology jans1n6635us/tr -
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/356 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf e 5 W D-5B - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jans1n6635us/tr ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 25 µA @ 1 V 4.3 v 2オーム
BZX79-B20,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B20,133 0.0273
RFQ
 ECAD 2663 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79-B20 400 MW ALF2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます