画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSR3000 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 3000 V | 3000 V @ 200 V | v | 200 mA @ 4 v | 穴を通して | 200mA | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | bav70/zl215 | - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 215ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | AZ23B33HE3-TP | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.06% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B33 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-AZ23B33HE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | BAS20-AU_R1_000A1 | 0.0189 | ![]() | 4639 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS20 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 120,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 1 V @ 100 MA | 50 ns | 1 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 200mA | 1.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 3SBMC2F | - | ![]() | 6111 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | - | 穴を通して | 4-sip | 3SBM | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 3 a | 2 µA @ 200 v | 3 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||
![]() | GSIB1580-5402E3/45 | - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB1580 | 標準 | GSIB-5S | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 mV @ 7.5 a | 10 µA @ 800 V | 3.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||
![]() | B380C800DM-E3/45 | 0.6400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | B380 | 標準 | DFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 900 Ma | 10 µA @ 600 V | 900 Ma | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | SZMMBZ5252BLT1G | 0.2000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZMMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||||
![]() | RBV3508 | 2.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC半導体Inc。 | - | バッグ | アクティブ | -40°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、RBV-25 | 標準 | RBV-25 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2439-RBV3508 | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 17.5 a | 10 µA @ 800 V | 35 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||
![]() | 1N3613/tr | 5.2800 | ![]() | 3552 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N3613/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | MUR30005CT | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30005CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 150a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | RBR10BM60ATL | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | to-252-3 | RBR10 | ショットキー | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 5a | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | VS-3C08ETOTT-M3 | - | ![]() | 1708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 112-VS-3C08ETOTT-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS15P07G-K D2G | - | ![]() | 9225 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | TS15P07G-KD2G | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 a | 10 µA @ 1000 v | 15 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | CD1005-S01575 | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CD1005 | 標準 | 1005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -40°C〜125°C | 150ma | 4PF @ 1V 、100MHz | ||||||||||||
![]() | RBR1VWM30ATR | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | RBR1VWM | ショットキー | PMDE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 480 mV @ 1 a | 50 µA @ 30 V | 150°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | SS1200FH-TP | 0.1042 | ![]() | 9075 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | SS1200 | ショットキー | SOD-323FH | ダウンロード | 353-SS1200FH-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 1 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | BZT52C13LPQ-7 | 0.0672 | ![]() | 3950 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.53% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | BZT52 | 250 MW | x1-dfn1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BZT52C13LPQ-7DI | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | hzs3blltd-e | 0.0900 | ![]() | 282 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-6cwq06fnhm3 | 1.8800 | ![]() | 7123 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 6CWQ06 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs-6cwq06fnhm3gi | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 3.5a | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SS2030FL_R1_00001 | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SS2030 | ショットキー | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 2 a | 100 µA @ 30 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | kdzlvtr56 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.25% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | kdzlvtr56 | 1 W | PMDU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 43 v | 56 v | ||||||||||||||||
![]() | SMMSZ4698T1G | - | ![]() | 3022 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | SMMSZ4698 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 8.4 v | 11 v | |||||||||||||||
![]() | ES3C-E3/57T | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3C | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SML4752HE3/5A | - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4752 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||||||
jantxv1n6621us/tr | 18.4500 | ![]() | 1419 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/585 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6621us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 440 v | 1.4 V @ 1.2 a | 30 ns | 500 NA @ 440 v | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||||||||||||||
![]() | BAS70-04W-QF | 0.0434 | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAS70 | 標準 | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BAS70-04W-QFTR | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | 1n746aur-1/tr | 2.8462 | ![]() | 3255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N746AUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 24オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX584C8V2HE3-TP | 0.0515 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±6.1% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | ダウンロード | 353-BZX584C8V2HE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 20 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | SB3H150 | 0.2014 | ![]() | 8664 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-SB3H150TR | 8541.10.0000 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 820 mV @ 3 a | 2 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 3a | - |
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