画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SMA5928BT3 | - | ![]() | 2020 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5928 | 1.5 w | SMA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | CZRUR52C24 | 0.0667 | ![]() | 3239 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 150 MW | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5401G | - | ![]() | 1668 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N540 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | PT80MYN16 | 54.0000 | ![]() | 7998 | 0.00000000 | avx | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 105 | 1.52 V @ 150 a | 5 ma @ 1600 v | 80 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||||||||
![]() | BZG05C43-E3-TR | - | ![]() | 4146 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 33 v | 43 v | 50オーム | |||||||||||||
![]() | SSL22 | 0.2625 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SSL22 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 410 mv @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | MMBZ522222BLT1 | - | ![]() | 7156 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4750A_S00Z | - | ![]() | 6972 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4750 | 1 W | DO-41 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | |||||||||||||||
![]() | TS6P02GHD2G | - | ![]() | 9360 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS6P02 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | 6 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | BAS40DW-05-7-F | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BAS40 | ショットキー | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペア共通カソード | 40 v | 200MA (DC) | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -55°C〜125°C | |||||||||||
![]() | 6a10gha0g | - | ![]() | 1514 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A10 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SMAZ16-13 | - | ![]() | 3509 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ16 | 1 W | SMA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 12.2 v | 16 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | B120AE-13 | - | ![]() | 9017 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B120 | ショットキー | SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 1 a | 100 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5933E3/TR13 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5933 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16.7 v | 22 v | 17.5オーム | |||||||||||||
![]() | BZT55A8V2-GS18 | - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84C18LT3 | - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | onsemi | BZX84CXXXLT1G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C18 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n4973us.tr | - | ![]() | 2554 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±4.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 5 W | - | ダウンロード | 600-jans1n4973us.tr | ear99 | 8541.10.0050 | 250 | 2 µA @ 32.7 v | 43 v | 20オーム | |||||||||||||||||
![]() | S10MC M6G | - | ![]() | 6983 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S10M | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.1 V @ 10 a | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 10a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | NRVHP620MFDT1G | 1.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | NRVHP620 | ショットキー | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 200 v | 3a | 1 V @ 3 a | 25 ns | 500 NA @ 200 V | -55°C〜175°C | |||||||||||
BZX84-C3V6-QVL | 0.0250 | ![]() | 6012 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-C3V6-QVLTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT52C4V3-7 | - | ![]() | 4029 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±7% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | HN4D02JU (TE85L | 0.0721 | ![]() | 5848 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | HN4D02 | 標準 | USV | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 1.6 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||
![]() | BZT52C3V3-TP | 0.1800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C3V3 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
mmsz5v1et1g | 1.0000 | ![]() | 4051 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n5621 | - | ![]() | 9986 | 0.00000000 | Semtech Corporation | * | バルク | sicで中止されました | 1N5621 | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N916TR | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N916 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜175°C | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | jantxv1n4106dur-1 | - | ![]() | 2625 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | murh840ct | - | ![]() | 4977 | 0.00000000 | onsemi | Megahertz™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MURH84 | 標準 | TO-220 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 4a | 2.2 V @ 4 a | 28 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | TFZVTR6.2B | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | TFZVTR6.2 | 500 MW | tumd2m | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||
BZD27C15Pラグ | 0.2753 | ![]() | 6530 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 14.7 v | 10オーム |
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