画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT40040L | - | ![]() | 6219 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 200a | 600 mV @ 200 a | 3 ma @ 40 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | BAT81S-TAP | 0.3400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAT81 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 40 V | 125°C (最大) | 30ma | 1.6pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-MBR1100TR | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MBR1 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 1a | 35pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | jantx1n5420 | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/411。 | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.1 V @ 3 a | 400 ns | 1 µA @ 600 V | - | 4.5a | 120pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZT52H-C8V2-QX | 0.0378 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.1% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZT52H-C8V2-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | B0540WS-TP | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | B0540 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 500 Ma | 80 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 500mA | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | JANTX1N2809RB | - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2809 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 0.8オーム | ||||||||||||||
![]() | PDZ3.3B-QX | 0.0273 | ![]() | 5397 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、pdz-bq | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PDZ3.3b | 400 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | MBR6040R | 21.3105 | ![]() | 6648 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MBR604 | ショットキー、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR6040RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 40 v | 650 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 v | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | 201CMQ045 | - | ![]() | 3026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 201cmq | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 100a | 670 mV @ 100 a | 10 mA @ 45 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | SR1202 B0G | - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR1202 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 12 a | 500 µA @ 20 V | -50°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52C36 | 0.0412 | ![]() | 7935 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C36TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | RD16S-T2 | 0.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
jans1n6313c | 358.7400 | ![]() | 3606 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6313 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | BZG05C62-HE3-TR3 | - | ![]() | 7292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 47 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||||
![]() | GBPC1510W | 3.1618 | ![]() | 7877 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | GBPC15 | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC1510 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBPC1510W | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 1000 v | 15 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | 1 PMT4116C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 7903 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4116 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 18.25 v | 24 v | 150オーム | |||||||||||||
![]() | MMBZ5223B | - | ![]() | 9027 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N6353 | - | ![]() | 6960 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 122 v | 160 v | 1200オーム | |||||||||||||||
BZX84B20-HE3-08 | 0.0341 | ![]() | 6271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B20 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-25CTQ045STRL-M3 | 0.9197 | ![]() | 1799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 25CTQ045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 3SMBJ5935B-TP | 0.4400 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3SMBJ5935 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | |||||||||||||
![]() | TDZ20J 、115 | 0.3400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ20 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | SMAZ5923B-M3/61 | 0.1063 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5923 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | 1N2992RB | 6.5000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2992 | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2992RB | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | 3EZ6.8D5-TP | 0.1020 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3EZ6.8 | 3 W | DO-15 | ダウンロード | 353-3EZ6.8D5-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.8 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | BAS40S-AU_R1_000A1 | 0.1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BAS40S-AU_R1_000A1DKR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 40 v | 200mA | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | BZX384B43-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 9597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B43 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||||||||||
![]() | SB1020DC_R2_00001 | 0.3213 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SB1020 | ショットキー | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 85,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 10a | 550 mv @ 5 a | 200 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||
SSL12HR3G | - | ![]() | 6096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SSL12 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 20 v | 390 mV @ 1 a | 200 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - |
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