画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK510SMA | 0.2325 | ![]() | 7472 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2796-SK510SMATR | 8541.10.0000 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||
![]() | BZT55B51 L1G | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 38 V | 51 v | 125オーム | ||||||||||||||||
![]() | Hzm4.7nb1tl-e | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murta20020r | 145.3229 | ![]() | 4700 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | Murta20020 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 a | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | GBU6KL-6441E3/51 | - | ![]() | 8301 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 3.8 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||
![]() | PMEG3050BEP-QX | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | ショットキー | SOD-128/CFP5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 450 mv @ 5 a | 250 µA @ 30 V | 150°C | 5a | 800pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZX384C6V2-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C6V2 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | BB 844 E6327 | - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PG-SOT23 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 13PF @ 8V、1MHz | 1ペア共通カソード | 18 v | 3.8 | C2/C8 | - | |||||||||||||||||
![]() | S5D-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5D | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-S5D-AU_R1_000A1DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 5 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZV55C3V3/TR | 3.1200 | ![]() | 7094 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.06% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-BZV55C3V3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 304 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||
![]() | ABS15D | 0.3053 | ![]() | 1759 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-ABS15DTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 200 V | 2 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | BZX79B16 | 0.0305 | ![]() | 1615 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B16TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 11.2 MA @ 50 mV | 16 v | 40オーム | ||||||||||||||||
jans1n5551us/tr | 106.5450 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n5551us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 9 a | 2 µs | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | VBO22-14NO8 | - | ![]() | 6390 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、FO-B | VBO22 | 標準 | FO-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 2.2 V @ 150 a | 300 µA @ 1400 v | 21 a | 単相 | 1.4 kV | ||||||||||||||||
![]() | SK34-TP-HF | - | ![]() | 9952 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK34 | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | 353-SK34-TP-HF | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | wnsc201200wq | 9.3555 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 20 a | 0 ns | 220 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 20a | 1020pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | Jan1n935b-1/tr | - | ![]() | 8243 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n935b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||||||
![]() | GBU8DL-6903E3/51 | - | ![]() | 5324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU8 | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 200 V | 3.9 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | 2KBP08ML-24E4/51 | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp08 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 800 V | 2 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | Hz12b2j-e | 0.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54VV、115 | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | BAT54 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BAT54VV、115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5257B-AQ | 0.0407 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 表面マウント | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2796-MMSZ5257B-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | TLZ22C-GS08 | 0.0335 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ22 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 na @ 20 v | 22 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | janhca1n4621 | 12.1695 | ![]() | 6236 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhca1n4621 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | |||||||||||||||||
RLZTE-1111B | - | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | LLDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 Na @ 8 V | 11 v | 10オーム | |||||||||||||||||||
![]() | GBI20G | 3.2589 | ![]() | 3654 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | 箱 | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip 、GBI | 標準 | GBI | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-GBI20G | 8541.10.0000 | 30 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 400 V | 3.6 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||
Jan1N6319 | 9.5100 | ![]() | 4158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6319 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 3.5 v | 6.2 v | 3オーム | ||||||||||||||||||
![]() | S28 | 0.0300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-S28TR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1510W | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 107 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5949E3/TR13 | - | ![]() | 1863年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5949 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 v | 100 V | 250オーム |
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