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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
S1K-E3/61T	0.3700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1K	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
KBP04M-43E4/51	-	RFQ	9560	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP04	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600						1.3 V @ 1.57 a		5 µA @ 400 V		1.5 a		単相	400 V
STPS6045CW	2.7600	RFQ	468	stmicroelectronics	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	STPS6045	ショットキー		TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	30a	630 mV @ 30 a		500 µA @ 45 V	175°C （最大）
BZG05B62-HM3-08	0.2079	RFQ	7270	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B62		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 47 v						62 v	125オーム
rs1bhm2g	-	RFQ	4747	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1B	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
jans1n4101-1	33.7800	RFQ	2204	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.3 v						8.2 v	200オーム
VSKE250-16	-	RFQ	1653	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	vske250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		1600 v				50 mA @ 1600 v		250a	-
1N5230B_T50A	-	RFQ	3330	onsemi	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5230		500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						4.7 v	19オーム
MMBD1405	0.4000	RFQ	6	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	MMBD14	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	200 v	200mA	1 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 175 v	150°C （最大）
Jan1n3047bur-1/tr	-	RFQ	3067	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.5 w	do-213ab	-				150-jan1n3047bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 98.8 v						130 v	700オーム
1N4749A A0G	-	RFQ	2771	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4749		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								5 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
ES2B	0.1659	RFQ	33	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2796-ES2BTR		8541.10.0000	3,000		高速回復= <500ns		100 V		900 mV @ 2 a	20 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	2a	-
SCS212AGC	-	RFQ	2801	Rohm Semiconductor	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	SCS212	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		回復時間なし> 500ma		650 V		1.55 V @ 12 a	0 ns	240 µA @ 600 V	175°C （最大）	12a	438pf @ 1V、1MHz
MMSZ4679T1G	0.2300	RFQ	8045	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4679		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						2 v
jantx1n3326b	-	RFQ	4862	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/158	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 27.4 v						36 v	3.5オーム
TLZ13C-GS18	0.0335	RFQ	6976	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ13		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 12.3 v						13 v	14オーム
DF1506S-T	0.5800	RFQ	5	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF1506	標準		DF-S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1,500						1.1 V @ 1.5 a		10 µA @ 600 V		1.5 a		単相	600 V
BAT54QC-QZ	0.2800	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	3-XDFN露出パッド	BAT54	ショットキー		DFN1412D-3	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C	200mA	10pf @ 1V、1MHz
SMBG4743A/TR13	-	RFQ	3077	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG4743		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.9 v						13 v	10オーム
6a2-b	-	RFQ	3425	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	廃止			穴を通して	R-6 、軸	6a2	標準		R-6	-		1 （無制限）	影響を受けた	31-6A2-B	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		200 v		900 mV @ 6 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	6a	-
BZX84C18TS-7-F	-	RFQ	3761	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BZX84		200 MW	SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	3独立					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 12.6 v						18 v	45オーム
BZT52C13LP-7	0.4500	RFQ	10	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	BZT52		250 MW	x1-dfn1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						13 v	30オーム
1n4111ur	3.7950	RFQ	6874	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4111		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.92 v						17 v	100オーム
BZX85C43	0.0200	RFQ	7526	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±7％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	1,450						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V						43 v	50オーム
MBR10200CT-E1	-	RFQ	3405	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR10200	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	5a	950 mv @ 5 a		150 µA @ 200 V	150°C （最大）
FFPF10U20DNTU	0.2500	RFQ	55	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.2 V @ 10 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C
1N248C	74.5200	RFQ	6609	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N248C	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		50 v		1.19 V @ 90 a	5 µs	10 µA @ 50 V	-65°C〜200°C	20a	-
BZT52B30S	0.0340	RFQ	9315	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52B30STR	ear99	8541.10.0050	10,000						1 V @ 10 mA		45 Na @ 21 v						30 V	80オーム
1N751ATR	-	RFQ	3979	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N751		500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 v	17オーム
SZ1SMB5941BT3	1.0000	RFQ	2248	onsemi	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB			3 W	SMB	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v						47 v	67オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²