画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | vuo68-16no7 | 19.8500 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ECO-PAC1 | vuo68 | 標準 | ECO-PAC1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -VUO68-16NO7 | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.5 V @ 60 a | 40 µA @ 1600 v | 68 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5360 V7G | - | ![]() | 4098 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5360V7GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 19 V | 25 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | BZX85C47 | 0.0645 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX85C47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 33 v | 47 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | ZM4756A | 0.0830 | ![]() | 8016 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4756 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ZM4756ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | BZT52-B8V7S_R1_00001 | 0.0270 | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.95% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 100 Na @ 6.5 v | 8.7 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4977US/TR | 9.5200 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | ear99 | 8541.10.0050 | 101 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 47.1 v | 62 v | 42オーム | |||||||||||||||
DBL151G C1G | - | ![]() | 6882 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL151 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | sml4762ahe3_a/i | 0.2063 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4762 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n4957dus/tr | 31.5000 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4957dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||
jantxv1n937b-1 | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.55 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX84C68-AU_R1_000A1 | 0.0216 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 100 Na @ 51 v | 68 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | CDLL5265D | 8.4150 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5265D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | |||||||||||||
![]() | RHRP860-R4647 | - | ![]() | 8543 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-RHRP860-R4647-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TZM5243F-GS18 | - | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5243 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 600オーム | ||||||||||||
flz4v7c | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | flz4 | 500 MW | SOD-80 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 190 na @ 1 v | 4.8 v | 21オーム | |||||||||||||
BZD17C43P RTG | - | ![]() | 9736 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.97% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n3827cur-1/tr | 31.6274 | ![]() | 6690 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3827cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3051bur-1/tr | 16.2600 | ![]() | 1330 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.5 w | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 152 v | 200 v | 1500オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5232B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | sml4752he3_a/i | 0.2063 | ![]() | 6855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4752 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | GR2KA | 0.0360 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-gr2katr | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5253BRL | 0.0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.8BA115 | 1.0000 | ![]() | 2909 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ17D5/TR12 | - | ![]() | 2765 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ17 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13 V | 17 v | 9オーム | |||||||||||
jantxv1n4996cus | - | ![]() | 7308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 297 v | 390 v | 1800オーム | ||||||||||||||
![]() | s1jhm3_a/h。 | 0.0825 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-S1JHM3_A/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MMBZ5245B_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5245 | 410 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMBZ5245B_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 11 V | 15 V | 16オーム | |||||||||||
![]() | SB330 | 0.2062 | ![]() | 2717 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2796-SB330TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 高速回復= <500ns | 30 V | 490 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | MMSZ4682T1G | 0.2700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | ||||||||||||
![]() | SMBJ5928A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 8546 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5928 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム |
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