画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SML4753A-E3/5A | 0.1815 | ![]() | 9067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4753 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4954USE3/TR | 8.5950 | ![]() | 3568 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-1N4954USE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-80-7603 | - | ![]() | 9050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7603 | - | 112-VS-80-7603 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ23C36Q | 0.0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-DZ23C36QTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N937B-1 | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N937 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | GBJ2001 | - | ![]() | 1539 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | GBJ2001DI | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 10 a | 10 µA @ 100 V | 20 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | SMBJ5932BHE3-TP | 0.1549 | ![]() | 4498 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5932 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | 353-SMBJ5932BHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX79-B39,113 | 0.2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-B39 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||
![]() | murs120-13-f | 0.4700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS120 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | 27pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | S3000MC | 0.5488 | ![]() | 8333 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2796-S3000MCTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 3000 V | 2a | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF15150CTHC0G | - | ![]() | 8055 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF15150 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 15a | 950 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 1PGSMB5951H | 0.1798 | ![]() | 3720 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 91.2 v | 120 v | 360オーム | |||||||||||||||
![]() | bat54st-7-f | 0.4700 | ![]() | 415 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-523 | BAT54 | ショットキー | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA (DC) | 1 V @ 100 MA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜125°C | |||||||||||
![]() | CZRW5239B-G | 0.0556 | ![]() | 7841 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | CZRW5239 | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | KBU3502-G | - | ![]() | 7933 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU3502 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 17.5 a | 10 µA @ 200 v | 4.2 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
jan1n4477us | 10.8150 | ![]() | 2938 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4477 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 26.4 v | 33 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | SFT18GHA0G | - | ![]() | 5895 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SFT18 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BYVF32-150-E3/45 | 0.9108 | ![]() | 1067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byvf32 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N3164 | 197.5950 | ![]() | 7077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3164 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N3164MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.55 V @ 940 a | 10 ma @ 200 v | -65°C〜200°C | 300a | - | |||||||||||
![]() | GBPC2508 | 5.9000 | ![]() | 301 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | GBPC25 | 標準 | GBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 5 µA @ 800 V | 25 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | DD350N14KHPSA1 | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | DD350N14 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1400 v | 350A | 1.28 V @ 1000 a | 30 mA @ 1400 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MMSZ4690-E3-18 | 0.2700 | ![]() | 2859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4690 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 4 V | 5.6 v | |||||||||||||||
jan1n4488dus | 34.6050 | ![]() | 6961 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4488 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 72.8 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||||
FLZ13VC | - | ![]() | 6388 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | FLZ13 | 500 MW | SOD-80 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 10 V | 13.3 v | 11.4オーム | |||||||||||||||
![]() | uf1dha0g | - | ![]() | 5461 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1d | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | Jan1n746dur-1 | 14.2500 | ![]() | 9877 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N746 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 17オーム | |||||||||||||
jantxv1n4115c-1/tr | 20.6815 | ![]() | 6240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4115c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.8 v | 22 v | 150オーム | |||||||||||||||
STTH3010W | 4.2700 | ![]() | 9006 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | do-247-2 (ストレートリード) | STTH3010 | 標準 | DO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 497-5154-5 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2 V @ 30 a | 100 ns | 15 µA @ 1000 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||
![]() | BX320_R1_00001 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BX320 | ショットキー | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BX320_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 3 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | SB250-E3/54 | 0.1104 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB250 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 680 mV @ 2 a | 500 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 2a | - |
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