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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N250B	74.5200	RFQ	9196	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N250B	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		200 v		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜200°C	40a	-
Hz5cll90ta	1.0000	RFQ	3891	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
1N5237B_T26A	-	RFQ	2428	onsemi	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5237		500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 6.5 v						8.2 v	8オーム
GBPC1204-E4/51	5.3000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC1204	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 6 a		5 µA @ 400 V		12 a		単相	400 V
S3840	61.1550	RFQ	2665	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		do-5（do-203ab）	-			影響を受けていない	150-S3840	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 200 a		25 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	100a	-
CDLL973B	2.8650	RFQ	2152	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL973		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 25 V						33 v	58オーム
RD15ES-T1-AZ	0.0600	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
BZX84-C11,235	0.0200	RFQ	30	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						11 v	20オーム
PD3S220L-7	0.4800	RFQ	8941	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™323	PD3S220	ショットキー		Powerdi™323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		20 v		490 mV @ 2 a		160 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	46pf @ 10V、1MHz
1SS88-E	0.2200	RFQ	92	Renesas Electronics America Inc	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸				DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	1				250 v		1 V @ 100 MA	100 ns	200 Na @ 250 V	175°C	200mA	1.5pf @ 0V、1MHz
BZV90-C13,115	0.1500	RFQ	4	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			1.5 w	SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZV90-C13,115-954			1						1 V @ 50 mA		100 Na @ 8 V						13 v	30オーム
jans1n4985dus	429.5200	RFQ	4805	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4985dus	ear99	8541.10.0050	1
1N2985B	6.5000	RFQ	250	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2985		10 W	DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N2985B	ear99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 2 a		5 µA @ 16.7 v						22 v	5オーム
1N757AUR-1	3.0300	RFQ	3279	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N757		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 7 V						9.1 v	6オーム
SS13L rhg	-	RFQ	8268	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS13	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 1 a		400 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1a	-
CDLL6327	14.6400	RFQ	3706	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL6327		500 MW	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v						13 v	8オーム
BZG04-39-M3-18	0.1980	RFQ	4725	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-39		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 39 v						47 v
jan1n4975dus/tr	29.6100	RFQ	2709	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4975dus/tr	ear99	8541.10.0050	100						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 38.8 v						51 v	27オーム
DF20NA160 F1	13.6700	RFQ	7308	Sanrex Corporation	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	5-sip露出パッド		標準		5-sip	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		4076-DF20NA160F1	ear99	8541.10.0080	12						1.2 V @ 20 a		8 Ma @ 1600 v		20 a		3フェーズ	1.6 kV
1N5938A	3.4050	RFQ	2408	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5938		1.25 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 27.4 v						36 v	38オーム
NTE6109	338.5200	RFQ	3	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	スタッド		標準		T-70	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE6109	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1600 v		2.15 V @ 1500 a	9 µs	50 mA @ 1600 v	-65°C〜200°C	300a	-
Jan1n6626us/tr	14.3550	RFQ	5779	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf e		標準		D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n6626us/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		220 v		1.35 V @ 1.2 a	30 ns	2 µA @ 220 v	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V、1MHz
jantxv1n413333ur-1/tr	10.1080	RFQ	7802	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n413333ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.2 v						87 v	1000オーム
v10km45duhm3/h	0.3503	RFQ	3947	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	V10km45	ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	2独立	45 v	5a	620 mV @ 5 a		200 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
AZ23C24	0.0240	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.83％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-AZ23C24TR	ear99		3,000	1ペア共通アノード													24 v	80オーム
BZV85-C10,113	0.0400	RFQ	34	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZV85				-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000
jantxv1n4131-1/tr	8.1662	RFQ	1554	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4131-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 57 v						75 v	700オーム
SS110	0.0686	RFQ	3289	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS110	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		800 mV @ 1 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	1a	-
uft3015c	62.1000	RFQ	5117	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3		標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-UFT3015C	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	30a	930 mv @ 15 a	35 ns	15 µA @ 150 v	-65°C〜175°C
cdll6342/tr	13.1404	RFQ	6996	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll6342/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 43 v						56 v	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²