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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
MMSZ4692-G3-08	0.0409	RFQ	6109	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4692		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							10 µA @ 5.1 v						6.8 v
PDA6T6201620	-	RFQ	6034	Powerex Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）					10
BZX384C3V0-HE3-18	0.0341	RFQ	2796	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C3V0		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							10 µA @ 1 V						3 v	95オーム
BZD27C68P-M-08	-	RFQ	2818	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C68		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51 v						68 v	80オーム
1N5528/tr	1.9950	RFQ	3852	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5528/tr	ear99	8541.10.0050	477					1.1 V @ 200 mA		500 na @ 6.5 v						8.2 v
MADP-007433-0287DT	0.8550	RFQ	4172	マコムテクノロジーソリューション	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）		TO-236-3	MADP-007433			SOT-23	-				1465-MADP-007433-0287DT			1		150 Ma	250 MW							0.35pf @ 20V、1MHz	ピン -シングル	75V			1.5OHM @ 10MA 、100MHz
TZM5233C-GS18	-	RFQ	2833	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5233		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v						6 v	7オーム
BB189,115	-	RFQ	5835	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB18			SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000										2.18pf @ 25V、1MHz	シングル	32 v				6.3	C2/C25	-
UZ8816	22.4400	RFQ	6619	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8816	ear99	8541.10.0050	1							500 NA @ 11.5 v						16 v	16オーム
CMHZ4678 TR	-	RFQ	9949	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード			影響を受けていない	1514-CMHZ4678TR	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 MA		7.5 µA @ 1 V						1.8 v
CD6325	2.1014	RFQ	2810	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-	表面マウント	死ぬ				死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD6325	ear99	8541.10.0050	1
MMBZ5230C-E3-08	-	RFQ	6956	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5230		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							5 µA @ 2 V						4.7 v	19オーム
DB104	0.3400	RFQ	1324	Rectron USA	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-EDIP （0.321 "、8.15mm）		標準		DB-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2516-DB104	ear99	8541.10.0080	2,500					1 V @ 1 a		1 µA @ 400 V		1 a		単相	400 V
BZX79B10 A0G	-	RFQ	9610	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.5 V @ 100 MA		7 MA @ 200 mV						10 v	20オーム
BZX79-B7V5,133	0.2100	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	-	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-B7V5		400 MW	ALF2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15オーム
Z4KE170A-E3/54	0.1584	RFQ	2323	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE170		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,500					1 V @ 500 MA		500 NA @ 129.6 v						170 v	1200オーム
1N5265bur-1/tr	3.7400	RFQ	2938	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 47 v						62 v	185オーム
1n4620ur-1/tr	3.1255	RFQ	1865年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4620ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 1.5 V						3.3 v	1.65オーム
GBJ1502-G	-	RFQ	7821	comchipテクノロジー	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbj		標準		GBJ	-				641-GBJ1502-G	ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 7.5 a		10 µA @ 200 v		15 a		単相	200 v
BZX84-C9V1,215	0.1600	RFQ	134	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-C9V1		250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
SS33 R6G	-	RFQ	8415	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SS33r6gtr	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns			30 V	500 mV @ 3 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	3a	-
SS13HE3_B/i	0.4300	RFQ	4797	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS13	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns			30 V	500 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
1N962a	2.0700	RFQ	3533	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N962		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 8.4 v						11 v	9.5オーム
HZS20NB1TD-E	0.1500	RFQ	30	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
CDS3029B-1	-	RFQ	7911	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS3029B-1	ear99	8541.10.0050	50
jantx1n969bur-1	6.5250	RFQ	1225	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N969		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 17 V						22 v	29オーム
CDSFR101A-HF	-	RFQ	5800	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	1005 （2512 メトリック）		標準		1005/SOD-323F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-CDSFR101A-HFTR	ear99	8541.10.0070	4,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			80 v	1 V @ 100 MA	4 ns	50 Na @ 75 v	-40°C〜125°C	100mA	3pf @ 500mv、1MHz
BR84	0.8910	RFQ	1683	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ		-65°C〜125°C	穴を通して	4 平方、BR-8		標準		BR-8	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		BR84GN	ear99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 1 a		10 µA @ 400 V		8 a		単相	400 V
1N5339C TR	-	RFQ	2338	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	T-18 、軸			5 W	ax-5w	-				1514-1N5339CTR	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 1 a		1 µA @ 2 V						5.6 v	1オーム
BZT52-C9V1J	0.2200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.1％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V						9.05 v	10オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²