SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BAL99,215 Nexperia USA Inc. BAL99,215 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAL99 標準 TO-236AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 70 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 70 V 150°C (最大) 215ma 1.5pf @ 0V、1MHz
GBJL3510-BP Micro Commercial Co GBJL3510-BP -
RFQ
ECAD 6962 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbjl GBJL3510 標準 gbjl ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,200 1.05 V @ 17.5 a 10 µA @ 1000 v 35 a 単相 1 kV
BZW03C7V5-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C7V5-TR -
RFQ
ECAD 2676 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZW03 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜175°C 穴を通して SOD-64 、軸 BZW03 1.85 w SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 a 1.5 mA @ 5.6 v 7.5 v 1.5オーム
SMMSZ4713T1G onsemi SMMSZ4713T1G -
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 - -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 SMMSZ4713 500 MW SOD-123 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 10 Na @ 22.8 v 30 V
JAN1N3827D-1/TR Microchip Technology jan1n3827d-1/tr 19.4047
RFQ
ECAD 9230 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/115 テープ&リール( tr) アクティブ ±1% -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n3827d-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 2 V 5.6 v 5オーム
RBR15BM60AFHTL Rohm Semiconductor RBR15BM60AFHTL 1.3100
RFQ
ECAD 259 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 RBR15 ショットキー TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 15a 580 mV @ 7.5 a 400 µA @ 60 V 150°C (最大)
VS-10TQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ045-M3 1.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 10TQ045 ショットキー TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 45 v 670 mV @ 20 a 2 MA @ 45 v -55°C〜175°C 10a 900pf @ 5V、1MHz
SBS010M-TL-E onsemi SBS010M-TL-E 0.0900
RFQ
ECAD 167 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 3,000
B540C-13-G Diodes Incorporated B540C-13-G -
RFQ
ECAD 9343 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント do-214ab 、mc B540 ショットキー SMC - 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mv @ 5 a 500 µA @ 40 V -55°C〜150°C 5a 300pf @ 4V、1MHz
P1200A-CT Diotec Semiconductor P1200A-CT 1.8421
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec半導体 - ストリップ アクティブ 穴を通して P600 、軸 P1200A 標準 P600 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2721-P1200A-CT 8541.10.0000 12 標準回復> 500ns 50 v 950 mv @ 12 a 10 µA @ 50 V -50°C〜150°C 12a -
BZB984-C8V2,115 Nexperia USA Inc. BZB984-C8V2,115 0.0700
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% - 表面マウント SOT-663 BZB984-C8V2 265 MW SOT-663 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,000 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 700 na @ 5 v 8.2 v 6オーム
BZX8850S-C51YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C51YL 0.3500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 35.7 v 51 v 180オーム
DD82S10KHPSA1 Infineon Technologies DD82S10KHPSA1 -
RFQ
ECAD 5129 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 シャーシマウント モジュール 標準 モジュール ダウンロード 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 15 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 100 V 96a 1.55 V @ 300 a 40 mA @ 100 V -40°C〜150°C
SBR30A100CTFP Diodes Incorporated SBR30A100CTFP 1.3000
RFQ
ECAD 4866 0.00000000 ダイオードが組み込まれています SBR® チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ SBR30 スーパーバリア ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 800 mV @ 15 a 100 µA @ 100 V -65°C〜175°C
SMZJ3789BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3789BHE3/5B -
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ37 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,200 50 µA @ 7.6 v 10 v 5オーム
MBRB2535CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2535CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 MBRB25 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 15a 820 mV @ 30 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
BZX84C56LT1 onsemi BZX84C56LT1 -
RFQ
ECAD 2211 0.00000000 onsemi BZX84CXXXLT1G テープ&リール( tr) 廃止 ±7% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C56 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 39.2 v 56 v 200オーム
1N5337AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5337AE3/TR12 -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -65°C〜150°C 穴を通して T-18 、軸 1N5337 5 W T-18 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 a 5 µA @ 1 V 4.7 v 2オーム
S4310D Microchip Technology S4310D 112.3200
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ スタッドマウント DO-205AA 標準 do-205aa ダウンロード 影響を受けていない 150-S4310D ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 200 a 50 µA @ 100 V -65°C〜200°C 150a -
1N823A DO-7 TR Central Semiconductor Corp 1N823A DO-7 TR -
RFQ
ECAD 6684 0.00000000 Corp - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード 1514-1N823ADO-7TR ear99 8541.10.0050 1 6.2 v 10オーム
CDSFR355 Comchip Technology CDSFR355 -
RFQ
ECAD 7384 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 1005 (2512 メトリック) 標準 1005/SOD-323F ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 80 v 1 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 80 V 125°C (最大) 100mA 3PF @ 0.5V、1MHz
1SMB5915BT3G onsemi 1SMB5915BT3G 0.3800
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB 1SMB5915 3 W SMB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.9 v 7.5オーム
JANTX1N4131UR-1 MACOM Technology Solutions jantx1n4131ur-1 9.8600
RFQ
ECAD 80 0.00000000 マコムテクノロジーソリューション 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク sicで中止されました ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa (ガラス) 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 57 v 75 v 200オーム
1N5340A/TR12 Microchip Technology 1N5340A/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±10% -65°C〜150°C 穴を通して T-18 、軸 1N5340 5 W T-18 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 a 1 µA @ 3 V 6 v 1オーム
JANTXV1N2820RB Microchip Technology jantxv1n2820rb -
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/114 バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 穴を通して To-204ad 1N2820 10 W TO-204AD(to-3) - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 a 10 µA @ 18.2 v 24 v 2.6オーム
SK38A-LTP Micro Commercial Co SK38A-LTP 0.4000
RFQ
ECAD 176 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA SK38 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 80 v 850 mv @ 3 a 500 µA @ 80 V -50°C〜125°C 3a -
RB521S30FN2_R1_00001 Panjit International Inc. RB521S30FN2_R1_00001 0.2900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 0402 (1006メトリック) RB521 ショットキー 2-dfn(1x0.6) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 30 V 510 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V -55°C〜125°C 200mA -
UG5J Taiwan Semiconductor Corporation UG5J -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220AC - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 1801-ug5j ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 3 V @ 5 a 20 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
TSPB5H120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB5H120S S1G 1.0900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN TSPB5 ショットキー SMPC4.0 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 120 v 740 mV @ 5 a 150 µA @ 120 V -55°C〜150°C 5a -
MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A200 48.6255
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X080 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 200 v 80a 920 MV @ 80 a 3 ma @ 200 v -40°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫