画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BAL99,215 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAL99 | 標準 | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 70 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 1 µA @ 70 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | GBJL3510-BP | - | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbjl | GBJL3510 | 標準 | gbjl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,200 | 1.05 V @ 17.5 a | 10 µA @ 1000 v | 35 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | BZW03C7V5-TR | - | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 1.5 mA @ 5.6 v | 7.5 v | 1.5オーム | ||||||||||||||
![]() | SMMSZ4713T1G | - | ![]() | 2331 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | SMMSZ4713 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 Na @ 22.8 v | 30 V | |||||||||||||||
![]() | jan1n3827d-1/tr | 19.4047 | ![]() | 9230 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3827d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | RBR15BM60AFHTL | 1.3100 | ![]() | 259 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | RBR15 | ショットキー | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 580 mV @ 7.5 a | 400 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
VS-10TQ045-M3 | 1.1800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 10TQ045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 670 mV @ 20 a | 2 MA @ 45 v | -55°C〜175°C | 10a | 900pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | SBS010M-TL-E | 0.0900 | ![]() | 167 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | B540C-13-G | - | ![]() | 9343 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | B540 | ショットキー | SMC | - | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | 300pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | P1200A-CT | 1.8421 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P1200A | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-P1200A-CT | 8541.10.0000 | 12 | 標準回復> 500ns | 50 v | 950 mv @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||
![]() | BZB984-C8V2,115 | 0.0700 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOT-663 | BZB984-C8V2 | 265 MW | SOT-663 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | BZX8850S-C51YL | 0.3500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||||||
![]() | DD82S10KHPSA1 | - | ![]() | 5129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 100 V | 96a | 1.55 V @ 300 a | 40 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | SBR30A100CTFP | 1.3000 | ![]() | 4866 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SBR30 | スーパーバリア | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 800 mV @ 15 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | SMZJ3789BHE3/5B | - | ![]() | 7065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 50 µA @ 7.6 v | 10 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRB2535CT-E3/81 | - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 820 mV @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BZX84C56LT1 | - | ![]() | 2211 | 0.00000000 | onsemi | BZX84CXXXLT1G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±7% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C56 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5337AE3/TR12 | - | ![]() | 7857 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5337 | 5 W | T-18 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | S4310D | 112.3200 | ![]() | 5193 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-S4310D | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 100 V | -65°C〜200°C | 150a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N823A DO-7 TR | - | ![]() | 6684 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1514-1N823ADO-7TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CDSFR355 | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | 標準 | 1005/SOD-323F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 80 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 125°C (最大) | 100mA | 3PF @ 0.5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1SMB5915BT3G | 0.3800 | ![]() | 4200 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5915 | 3 W | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n4131ur-1 | 9.8600 | ![]() | 80 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 200オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5340A/TR12 | 2.6250 | ![]() | 4908 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5340 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 v | 1オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n2820rb | - | ![]() | 6809 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2820 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 18.2 v | 24 v | 2.6オーム | |||||||||||||||
![]() | SK38A-LTP | 0.4000 | ![]() | 176 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK38 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 80 V | -50°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | RB521S30FN2_R1_00001 | 0.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | RB521 | ショットキー | 2-dfn(1x0.6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 510 mV @ 200 mA | 30 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 200mA | - | |||||||||||||
![]() | UG5J | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ug5j | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 5 a | 20 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | TSPB5H120S S1G | 1.0900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TSPB5 | ショットキー | SMPC4.0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 120 v | 740 mV @ 5 a | 150 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | MBR2X080A200 | 48.6255 | ![]() | 5975 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MBR2X080 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 200 v | 80a | 920 MV @ 80 a | 3 ma @ 200 v | -40°C〜150°C |
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