画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBZ5245BW_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBZ5245 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMBZ5245BW_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||
![]() | RB521ZS-3AZT2R | - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | RB521 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RB521ZS-3AZT2RTR | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C51-TAP | 0.3800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C51 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 39 v | 51 v | 115オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ4708-TP | 0.0218 | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4708 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 950 mv @ 10 ma | 10 Na @ 16.7 v | 22 v | |||||||||||||||
![]() | CZRF52C5V6 | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CZRF52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | RB520VM-30TE-17 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | RB520 | ショットキー | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RB520VM-30TE-17CT | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 580 mV @ 200 Ma | 1 µA @ 10 V | 150°C | 200mA | - | |||||||||||
![]() | 1N5366BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 1196 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5366 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 28.1 v | 39 v | 14オーム | |||||||||||||
![]() | GBJ3504-BP | 1.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ3504 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -1142-GBJ3504-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 17.5 a | 10 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||
![]() | MMBD452_R1_00001 | 0.0270 | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBD452 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,252,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA (DC) | 600 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 25 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||
![]() | DHG20C600PB | 3.1500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | DHG20 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 10a | 2.37 V @ 10 a | 35 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
jan1n4468cus | 26.7600 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4468 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | GBPC2508-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | GBPC2508 | 標準 | GBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 800 V | 25 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
rlzte-118.2a | - | ![]() | 4736 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | LLDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 500 NA @ 5 V | 8 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | rju6052tdpp-aj#t2 | - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | RJU6052 | 標準 | TO-220FP-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 10 a | 25 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52B27-HF | 0.0418 | ![]() | 7022 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | - | 1 (無制限) | 641-BZT52B27-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 45 Na @ 18.9 v | 27 v | 75オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n748aur-1 | 4.7100 | ![]() | 1424 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N748 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | SK510C R6 | - | ![]() | 3863 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK510CR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | MBR0580S1-7 | 0.2900 | ![]() | 299 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | MBR0580 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 800 mV @ 500 Ma | 5 µA @ 80 V | -55°C〜175°C | 500mA | 15pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5391G B0G | - | ![]() | 2906 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5391 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | V10K60C-M3/i | 0.3368 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V10K60C-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 4.6a | 590 mV @ 5 a | 900 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
BZD27C39P MQG | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5256CT1G | - | ![]() | 3458 | 0.00000000 | onsemi | MMSZ52XXXT1G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ525 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | |||||||||||||
SD101CW RHG | 0.0573 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SD101 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 900 mV @ 15 Ma | 1 ns | 200 Na @ 40 V | -65°C〜125°C | 15ma | 2.2pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CDS5523CUR-1/TR | 471.1800 | ![]() | 6028 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5523CUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
jan1n4994dus | - | ![]() | 6529 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 251 v | 330 v | 1175オーム | ||||||||||||||||
jans1n6348 | 140.1300 | ![]() | 9427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-Jans1N6348 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 76 v | 100 V | 340オーム | ||||||||||||||||
![]() | UZ7856 | 468.9900 | ![]() | 2099 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7856 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 40.3 v | 56 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5527bur-1 | 6.4800 | ![]() | 131 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5527 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | MBR790 C0G | - | ![]() | 7322 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR790 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 MV @ 7.5 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 7.5a | - | ||||||||||||
![]() | MB354-BP | - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | QC端子 | 4 平方、MB-35 | MB354 | 標準 | MB-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | Q4590101A | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V |
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