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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX384C2V7-G3-18	0.0389	RFQ	5651	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C2V7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							20 µA @ 1 V				2.7 v	100オーム
BZT52C43-E3-18	0.0360	RFQ	2760	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C43		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 32 v				43 v	97オーム
HZ5A3-E	0.1100	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
SRAF1640	-	RFQ	5946	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック		ショットキー		ITO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-sraf1640	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 16 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	16a	-
BZX384-C6V8,115	0.2100	RFQ	12	Nexperia USA Inc.	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384		300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		2 µA @ 4 V				6.8 v	15オーム
BZD17C33P RTG	-	RFQ	5801	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.06％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 24 V				33 v	15オーム
MMSZ2V4T3G	-	RFQ	9445	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ2V		500 MW	SOD-123	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	100オーム
NRVS3JB	0.1502	RFQ	6569	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません			表面マウント	DO-214AA、SMB	NRVS3	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
udzs33b rrg	-	RFQ	2778	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	UDZS33		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							45 Na @ 25 V				33 v	100オーム
MMSZ4684-TP	0.1300	RFQ	66	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4684		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					950 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
MMSZ5251A-AU_R1_000A1	0.2400	RFQ	2	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123	MMSZ5251		500 MW	SOD-123	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MMSZ5251A-AU_R1_000A1DKR	ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 17 V				22 v	29オーム
SMZJ3790B-E3/5B	0.1546	RFQ	4971	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3790		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							10 µA @ 8.4 v				11 v	6オーム
jans1n4127dur-1	147.2700	RFQ	3988	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v				56 v	300オーム
KYW35K3	1.9810	RFQ	9128	diotec半導体	-	箱	アクティブ			穴を通して	do-208aa		標準		DO-208	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-KYW35K3		8541.10.0000	500	標準回復> 500ns		300 V		1.1 V @ 35 a	1.5 µs	100 µA @ 300 V	-50°C〜175°C	35a	-
UF208G_R2_00001	0.0810	RFQ	7146	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	UF208	標準		DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	60,000	高速回復= <500ns		800 V		1.7 V @ 2 a	100 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	2a	35pf @ 4V、1MHz
1N5274BE3	2.9260	RFQ	1389	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5274BE3	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 99 v				130 v	1100オーム
1SMB3EZ10-AU_R1_000A1	0.4900	RFQ	268	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB3		3 W	SMB （DO-214AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	800							3 µA @ 7.6 v				10 v	4オーム
cdll4679/tr	3.0989	RFQ	9078	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4679/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				2 v
NZ8F6V8SMX2WT5G	0.0456	RFQ	2131	onsemi	NZ8F	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.35％	-65°C〜150°C	表面マウント、濡れ可能な側面	2-xdfn			250 MW	2-x2dfnw（ 1x0.6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-NZ8F6V8SMX2WT5GTR	ear99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 Ma		500 na @ 3.5 v				6.8 v	40オーム
1N3910A	48.5400	RFQ	9926	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3910	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		1.4 V @ 50 a	200 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	50a	-
fepe16ft-e3/45	-	RFQ	8766	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	Fepe16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	300 V	16a	1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C
BZT52H-C7V5,115	0.2100	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V				7.5 v	10オーム
SD103CW-7-F-79	-	RFQ	3647	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SOD-123		ショットキー		SOD-123	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	31-SD103CW-7-F-79TR	ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns		20 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 10 V	-55°C〜150°C	350ma	28pf @ 0V、1MHz
BZX84C8V2	0.0200	RFQ	47	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-	表面マウント	TO-236-3	BZX84C8		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		700 na @ 5 v				8.2 v	15オーム
1N5402GH	-	RFQ	3931	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1N5402GHTR	ear99	8541.10.0080	1,250	標準回復> 500ns		200 v		1 V @ 3 a		5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	25pf @ 4V、1MHz
BZX84B11HE3-TP	0.2700	RFQ	5	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B11		350 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V				11 v	20オーム
MF300U12F2-BP	-	RFQ	9931	Micro Commercial Co	-	バルク	廃止			シャーシマウント	f2モジュール	MF300	標準		F2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	80	高速回復= <500ns		1200 v		1.8 V @ 300 a	150 ns	5 mA @ 1200 v	-40°C〜150°C	300a	-
SMBG5353CE3/TR13	1.4400	RFQ	9289	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5353		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v				16 v	2.5オーム
SMBZ5937B-E3/5B	0.1676	RFQ	6334	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5937		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 25.1 v				33 v	33オーム
PZU9.1BL 、315	0.0300	RFQ	92	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PZU9.1BL 、315-954			1					1.1 V @ 100 MA		500 NA @ 6 V				9.1 v	10オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²