画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-12TQ045-N3 | - | ![]() | 8068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 12TQ045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-12TQ045-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 710 mv @ 30 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | byvb32-100he3_a/i | 0.9405 | ![]() | 2695 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | uft3120c | 63.3000 | ![]() | 8964 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 標準 | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-UFT3120C | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.1 V @ 15 a | 50 ns | 15 µa @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | GSXD080A006S1-D3 | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | セミク | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GSXD080 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 60 V | 80a | 750 mv @ 80 a | 1 MA @ 60 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | GC4432-115-2 | - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | モジュール | - | - | 影響を受けていない | 150-GC4432-115-2 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 Ma | 0.5pf @ 50V、1MHz | ピン -シングル | 300V | 1OHM @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | umz5.6kfhtl | 0.0659 | ![]() | 5013 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±2.14% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | umz5.6 | 200 MW | UMD4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2独立 | 1 µA @ 2.5 v | 5.61 v | |||||||||||||||||
![]() | SDUR1560CT | 0.9200 | ![]() | 971 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SDUR15 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | - | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | B240Q-13-F | 0.3700 | ![]() | 487 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | B240 | ショットキー | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
jantx1n980bur-1 | 6.0900 | ![]() | 4147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N980 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 47 v | 62 v | 185オーム | |||||||||||||||||
rs2kahr3g | - | ![]() | 6623 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | rs2k | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1.5 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | P600B-E3/73 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P600 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 標準回復> 500ns | 100 V | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
jan1n4493cus | 26.7600 | ![]() | 5472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4493 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700オーム | |||||||||||||||||
![]() | GIB1402-E3/45 | 0.6141 | ![]() | 6023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GIB1402 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | murf1640ct | 1.5700 | ![]() | 394 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | murf1640 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | GS5kb | 0.0850 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GS5KBTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8EWX06FNTR-M3 | 1.0600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 8EWX06 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 8 a | 17 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||||
VS-309URA250 | - | ![]() | 3979 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 309ura250 | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS309URA250 | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 2500 V | 1.46 V @ 942 a | -40°C〜180°C | 300a | - | ||||||||||||||||
![]() | 6A6 | - | ![]() | 7758 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | カットテープ(CT) | 廃止 | 穴を通して | R-6 、軸 | 標準 | R-6 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 950 mv @ 6 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 301UR140 G BK BL | - | ![]() | 5774 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 301ur140 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.22 V @ 942 a | 15 mA @ 1400 v | -40°C〜180°C | 300a | - | |||||||||||||||
![]() | STPS30L60CW | 2.4300 | ![]() | 7823 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | STPS30L60 | ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 600 mV @ 15 a | 480 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||
![]() | GBU808-G | 1.0304 | ![]() | 8572 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU808 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 10 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | GBU602-G | 0.9200 | ![]() | 2812 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU602 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 3 a | 5 µA @ 200 V | 6 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | ES3JB | 0.2455 | ![]() | 6 | 0.00000000 | MDD | SMB | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3372-ES3JBTR | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.68 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | WNS40H100CGQ | 0.6930 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | WNS40 | ショットキー | TO-262 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | - | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||
![]() | VS-16CTU04-1PBF | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 16CTU04 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS16CTU041PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 8a | 1.3 V @ 8 a | 60 ns | 10 µA @ 400 V | 175°C (最大) | |||||||||||||
HS1JFSH | 0.1004 | ![]() | 9185 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | 標準 | SOD-128 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1jfshtr | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 13pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | RURP15100-F085 | - | ![]() | 1238 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | Rurp15100 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.8 V @ 15 a | 260 ns | 100 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | CMUSH2-4S TR PBFREE | - | ![]() | 8671 | 0.00000000 | Corp | CMUSH2-4 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | cmush2 | ショットキー | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 40 v | 200mA | 750 mv @ 100 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
DSRHD02-13 | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | Diodestar™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、フラットリード | DSRHD02 | 標準 | 4-Tミニディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | GP10-4002-E3S/73 | - | ![]() | 3314 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz |
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