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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GP10-4002-E3S/73	-	RFQ	3314	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BZD17C75P	0.2625	RFQ	2047	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	-55°C〜175°C	表面マウント	SOD-123	BZD17		800 MW	sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZD17C75PTR	ear99	8541.10.0050	10,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v						75 v	100オーム
SBCT1050	0.6450	RFQ	7620	diotec半導体	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-SBCT1050		8541.10.0000	5,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	5a	700 mV @ 5 a		300 µA @ 50 V	-50°C〜150°C
uft7020d	-	RFQ	6551	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止			ネジマウント	モジュール		標準		モジュール	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペアシリーズ接続	200 v	35a	950 mV @ 35 a	50 ns	25 µA @ 200 V
VS-20CTH03STRR-M3	0.8171	RFQ	5913	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20cth03	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 10 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-55°C〜175°C	10a	-
BZX84B11-G3-18	0.0389	RFQ	8374	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B11		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 8 V						11 v	20オーム
CBR1U-D020S	-	RFQ	8380	Corp	-	チューブ	廃止		-65°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼		標準		4-smdip	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50					1.05 V @ 1 a		5 µA @ 200 V		1 a		単相	200 v
1EZ190D10E3/TR12	-	RFQ	8858	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1EZ190		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 144.8 v						190 v	1700オーム
rs1pjhm3_a/h	0.1002	RFQ	6811	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	rs1p	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
CDLL486B	5.5350	RFQ	1796	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA	CDLL486	標準		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	CDLL486B-MIL	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		250 v		1 V @ 100 MA		100 µA @ 250 V	-65°C〜175°C	200mA	-
VS-30CPQ060-N3	3.0600	RFQ	165	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	30CPQ060	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-30CPQ060-N3GI	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	30a	800 mV @ 30 a		800 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
BZD27C51PHM2G	-	RFQ	2503	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.88％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 39 v						51 v	60オーム
jantx1n4573aur-1	-	RFQ	2672	マコムテクノロジーソリューション	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	100オーム
1N5070SM	27.0900	RFQ	7092	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			3 W	a sq-melf	-			影響を受けていない	150-1N5070SM	ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 10.6 v						14 v	6オーム
jans1n4489	-	RFQ	3725	Semtech Corporation	MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	軸	ダウンロード				600-Jans1N4489	ear99	8541.10.0050	1							250 na @ 80 v						100 V	250オーム
SBL1635CT	-	RFQ	3935	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	16a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
jantx1n3322rb	-	RFQ	7391	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3322rb	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 18.2 v						25 v	2.7オーム
DPG20C400PC-TRL	2.9364	RFQ	6925	ixys	Hiperfred²™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	DPG20C400	標準		TO-263AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	10a	1.32 V @ 10 a	45 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C
DDZ36S-7	-	RFQ	9500	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	DDZ36		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 30 V						36 v	85オーム
MBR20H100CTF-G1	-	RFQ	7816	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック		ショットキー		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
byv26egphe3/54	-	RFQ	7326	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	byv26	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		1000 V		2.5 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZX84B24-HE3_A-18	0.0498	RFQ	8281	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B24-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 16.8 v						24 v	70オーム
uh6pj-m3/87a	-	RFQ	9880	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh6	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		600 V		3 V @ 6 a	45 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	6a	-
MMBZ5245B_D87Z	-	RFQ	2209	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ52		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		100 na @ 11 v						15 V	16オーム
CDLL3047B	15.3000	RFQ	5404	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-CDLL3047B	ear99	8541.10.0050	1													130 v	700オーム
Jan1n3025b-1	-	RFQ	7575	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 12.2 v						16 v	16オーム
ABZT52B16-HF	0.0690	RFQ	5703	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123	ABZT52		500 MW	SOD-123	-	ROHS準拠			641-ABZT52B16-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		45 Na @ 11.2 v						16 v	40オーム
CZRC5380B-G	-	RFQ	3004	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	do-214ab 、mc			5 W	do-214ab	ダウンロード	ROHS準拠			641-CZRC5380B-GTR	ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 91.2 v						120 v	170オーム
BZT52B47	0.0453	RFQ	2716	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	BZT52B		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52B47TR	ear99	8541.10.0050	6,000					1 V @ 10 mA		45 Na @ 33 v						47 v	170オーム
CDLL935A	4.0650	RFQ	8195	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL935		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V						9 v	20オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²