RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比条件	Q @ vr、f
jan1n5542bur-1	14.4600	RFQ	8849	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5542		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.6 v						24 v	100オーム
1PS79SB30YL	0.3200	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523	1PS79	ショットキー		SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	8,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		600 mV @ 200 mA		500 NA @ 40 V	150°C	200mA	20pf @ 1V、1MHz
BAS40-00-G3-18	0.0524	RFQ	8987	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS40	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	100 Na @ 30 V	125°C （最大）	200mA	5PF @ 0V、1MHz
EGL41CHE3/96	-	RFQ	6539	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	EGL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		150 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
V8P12-M3/86A	0.8500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8p12	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		120 v		840 mV @ 8 a		300 µA @ 120 V	-40°C〜150°C	8a	-
MMBZ5253C-G3-08	-	RFQ	7076	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5253		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 19 v						25 v	35オーム
NTE5286AK	26.8600	RFQ	42	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠			2368-NTE5286AK	ear99	8541.10.0050	1													105 v	25オーム
S16-4150E3/TR7	2.8950	RFQ	5560	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	S16-4150	標準		16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	500	高速回復= <500ns	8独立	50 v	400MA （DC）	1 V @ 200 mA	4 ns	100 Na @ 50 V	-55°C〜150°C
HER303G	0.2680	RFQ	3	Hy Electronic（Cayman）Limited	HER303G	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-201AA		標準		DO-27	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	4024-HER303GTB			5	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
1N5231B/TR	2.5935	RFQ	5447	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5231B/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 v	17オーム
MBR60040CTRL	-	RFQ	2096	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	ツインタワー		ショットキー		ツインタワー	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	40 v	300a	600 mV @ 300 a		5 ma @ 40 v	-55°C〜150°C
SS2P3HE3/85A	-	RFQ	4457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q100、ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2p3	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		30 V		550 mv @ 2 a		150 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	-
MBR6200F_T0_00001	1.1600	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBR6200	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 6 a		50 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	6a	-
S504160	158.8200	RFQ	6458	マイクロチップテクノロジー	SR504	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		do-205ab（do-9）	-			影響を受けていない	150-S504160	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1600 v		1.25 V @ 1000 a		75 µA @ 1600 v	-65°C〜200°C	300a	-
SMV1237-001LF	-	RFQ	4911	Skyworks Solutions Inc.	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	TO-236-3				SOT-23	-				2156-SMV1237-001LF			1										14.4pf @ 6V、1MHz	シングル	15 V			C1/C6	-
SS22S-E3/61T	0.1002	RFQ	3881	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS22	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		20 v		550 mv @ 2 a		200 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	2a	-
MM3Z56VT1GX	0.2200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	mm3z	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 39.2 v						56 v	200オーム
1N4760AHA0G	-	RFQ	5662	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4760		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							5 µA @ 51.7 v						68 v	150オーム
MM5Z3V0T1G	0.2300	RFQ	728	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.7％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	MM5Z3		500 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V						3 v	100オーム
CDBK0530-HF	-	RFQ	1264	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SOD-123F		ショットキー		SOD-123F	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns		20 v		470 mV @ 500 Ma		100 µA @ 20 V	125°C （最大）	500mA	100pf @ 0V、1MHz
30CTQ040	0.5652	RFQ	6864	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	30ctq	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	30CTQ040SMC	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	15a	620 mv @ 15 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜175°C
NZX3V0B 、133	0.0200	RFQ	45	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±3％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	ALF2	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3 v	100オーム
1 PMT5939E3/TR7	0.7350	RFQ	8159	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5939		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 29.7 v						39 v	45オーム
BAS70ADW_R1_00001	0.0513	RFQ	7736	Panjit International Inc.	bas70tw	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BAS70	ショットキー		SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,002,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	2ペア共通アノード	70 v	200MA （DC）	1 V @ 15 mA	5 ns	100 Na @ 50 V	-55°C〜125°C
GS1M-AU_R1_000A1	-	RFQ	9533	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	GS1	標準		sma（do-214ac）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-GS1M-AU_R1_000A1DKR	ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a		1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
1N5398GH	0.0831	RFQ	2207	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5398	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns		800 V		1 V @ 1.5 a		5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
1N2832a	94.8900	RFQ	4811	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2832		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 42.6 v						56 v	6オーム
MBR2045LCT-E1	-	RFQ	4989	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	700 mV @ 10 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜150°C
V10P22C-M3/i	0.3465	RFQ	4425	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード			影響を受けていない	112-V10P22C-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3.2a	930 mv @ 5 a		100 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
PZU8.2B2A-QX	0.3000	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			320 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		500 µA @ 5 V						8.19 v	10オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²