画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TZMC33-GS18 | 0.0303 | ![]() | 6725 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC33 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | ZMM5251B-7 | - | ![]() | 5985 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||
![]() | 3SMBJ5938B-TP | 0.4500 | ![]() | 3469 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3SMBJ5938 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5944C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 4625 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5944 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | |||||||||||
![]() | 1N5365A/TR8 | 2.6250 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5365 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||
![]() | HZ18-2TA-E | 0.0500 | ![]() | 7129 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 496 | ||||||||||||||||||||||
CDLL3824A | 10.1250 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3824 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||
![]() | RB461F-TP | 0.1482 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RB461 | ショットキー | SOT-323 | ダウンロード | 353-RB461F-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 490 mV @ 700 Ma | 200 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 700MA | - | ||||||||||||
![]() | BZX384B7V5-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B7V5 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 1 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | RB520S-40L2 | 0.0190 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | RB520 | ショットキー | DFN1006-2L | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-RB520S-40L2TR | ear99 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 550 mV @ 100 Ma | 1 µA @ 10 V | 125°C | 200mA | - | |||||||||||
![]() | MURS140b | 0.0800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MURS140btr | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | UF4006 | 0.0800 | ![]() | 78 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,643 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | DDZ39FS-7 | 0.0531 | ![]() | 7400 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | DDZ39 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30 V | 39 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | BZX85C39-TAP | 0.3800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C39 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 30 V | 39 v | 50オーム | ||||||||||||
![]() | SMD15PL-TP | 0.0474 | ![]() | 4944 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SMD15 | ショットキー | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SMD15PL-TPMSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MUR460S | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR460 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SBA120Q_R1_00001 | 0.0758 | ![]() | 4869 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | 2-udfn | SBA120 | ショットキー | DFN1610-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 288,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 100 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | 1N5614 BK | - | ![]() | 5187 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | R-1 、軸 | 1N5614 | 標準 | GPR-1A | - | 影響を受けていない | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 NA @ 200 V | -65°C〜200°C | 1a | 35pf @ 12V、130kHz | |||||||||||||
![]() | S3GH | 0.1561 | ![]() | 4429 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | bav70-tp-hf | - | ![]() | 5862 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | 353-VAV70-TP-HF | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 215ma | 1.25 V @ 100 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
BZT52C18Q | 0.0220 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C18QTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-U5FH60FA120 | 22.5300 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | vs-u5fh | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-U5FH60FA120 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1200 v | 30A (DC) | 2.5 V @ 30 a | 54 ns | 60 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | ||||||||
![]() | MBR7580 | 20.8845 | ![]() | 8966 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR7580GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 80 v | 840 mV @ 75 a | 1 MA @ 80 V | -55°C〜150°C | 75a | - | |||||||||||
![]() | MBRF8150CT | 0.5148 | ![]() | 2247 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF8150 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRF8150CT | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 8a | 950 mV @ 4 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | HTZ130B33K | - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | ixys | HTZ130B | 箱 | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | HTZ130 | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 33000 v | 1a | 24 V @ 2 a | 500 µA @ 33000 v | ||||||||||||
![]() | bas40vyx | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | ショットキー | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 3独立 | 40 v | 120ma | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C | |||||||||||
![]() | MSRT100100D | 87.1935 | ![]() | 4135 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRT100 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1242-MSRT100100D | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1000 V | 100a | 1.1 V @ 100 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | RFN16T2DNZC9 | 2.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RFN16 | 標準 | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RFN16T2DNZC9 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 16a | 980 mV @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C | ||||||||
![]() | GP1604H | 0.6437 | ![]() | 1128 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | GP1604 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-gp1604h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | Jan1n3993ra | - | ![]() | 1701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 100 µA @ 500 mV | 3.9 v | 2オーム |
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