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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
AZ23C3V9_R1_00001	0.0297	RFQ	4627	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C3V9		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,252,000	1ペア共通アノード							10 µA @ 1 V						3.9 v	95オーム
SZBZX84C18LT1	0.0500	RFQ	99	onsemi	aec-q101	バルク	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	SZBZX84		225 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 12.6 v						18 v	45オーム
NRVTSS3100ET3G-GA01	-	RFQ	1092	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		ショットキー		SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-NRVTSS3100ET3G-GA01TR	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		100 V		995 mV @ 3 a		5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	14.4pf @ 100V、1MHz
SK510AQ-LTP	0.5700	RFQ	5904	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		ショットキー		do-214ac	ダウンロード		1 （無制限）					5,000		高速回復= <500ns		100 V		800 mV @ 5 a		5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	5a	150pf @ 4V、1MHz
BZX84C75W_R1_00001	0.0162	RFQ	4300	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84		200 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,252,000								100 Na @ 56 v						75 v	250オーム
1N4002-N-0-3-AP	-	RFQ	2787	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4002	標準		DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		1N4002-N-0-3-APMS	ear99	8541.10.0080	5,000		標準回復> 500ns		100 V		1 V @ 1 a		5 µA @ 100 V	-	1a	-
ACZRW5236B-HF	0.0511	RFQ	8012	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-ACZRW5236B-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6オーム
1 PMT5952AE3/TR13	0.7350	RFQ	5581	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5952		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 98.8 v						130 v	450オーム
By1800	0.2499	RFQ	13	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-201AA		標準		DO-2011	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-by1800tr		8541.10.0000	1,700		標準回復> 500ns		1800 v		1.1 V @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 1800 v	-50°C〜150°C	3a	-
MD70C16D1	17.0600	RFQ	1	Yangjieテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		標準		D1	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MD70C16D1	ear99		10		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1600 v	70a	1.3 V @ 200 a		5 ma @ 1600 v	-40°C〜150°C
CZRQC4V7B-HF	0.0652	RFQ	7298	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.55％	-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）	CZRQC4		125 MW	0402C/SOD-923F	-	ROHS準拠			641-CZRQC4V7B-HFTR	ear99	8541.10.0050	5,000						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1.5 v						4.7 v	70オーム
VS-10ETF04PBF	-	RFQ	4466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	10etf04	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS10ETF04PBF	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		400 V		1.2 V @ 10 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	10a	-
CDLL5543B	6.4800	RFQ	6568	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5543		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v						25 v	100オーム
jantxv1n4494cus	45.1350	RFQ	6572	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4494cus	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		250 na @ 128 v						160 v	1000オーム
SBR40S45CT	-	RFQ	3773	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	前回購入します									-				31-SBR40S45CT			1
FR102-AP	-	RFQ	7672	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	FR102	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
SMBG5352C/TR13	2.8650	RFQ	8143	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5352		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 10.8 v						15 V	2.5オーム
SF37GHA0G	-	RFQ	4037	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SF37	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		500 V		1.7 V @ 3 a	35 ns	5 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
BZG05B62-HM3-18	0.2079	RFQ	9853	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B62		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 47 v						62 v	125オーム
CMR3U-10M TR13 PBFREE	2.0700	RFQ	14	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	CMR3U-10	標準		SMC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		1000 V		2 V @ 3 a	100 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	3a	-
NTS1045MFST1G	0.8800	RFQ	2537	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	8-powertdfn	NTS1045	ショットキー		5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		45 v		570 mV @ 10 a		120 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 45V、1MHz
BZX84C6V8-E3-08	0.2300	RFQ	65	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C6V8		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								3 µA @ 4 V						6.8 v	15オーム
jantx1n3826aur-1	15.9000	RFQ	6667	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3826		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V						5.1 v	7オーム
janhca1n4130c	-	RFQ	2802	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4130c	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 51.68 v						68 v	700オーム
bzx585b5v1 rsg	0.0476	RFQ	8170	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX585B5		200 MW	SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000								1.8 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
KBP307 l	0.4050	RFQ	42	MDD	KBP	箱	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbp		標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	2,000						1.1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		3 a		単相	600 V
VS-74-7783	-	RFQ	4482	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					74-7783				-				112-VS-74-7783			1
F1AFS	0.0190	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-F1AFSTR	ear99		3,000
VS-1EFH02W-M3-18	-	RFQ	1348	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-219AB	1EFH02	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		200 v		930 mv @ 1 a	16 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	-
SBT250-06J	1.6600	RFQ	1	sanyo	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	SBT250	ショットキー		TO-220ML	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	25a	600 mV @ 10 a		300 µA @ 30 V	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²