画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2M120ZH | 0.1667 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M120 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 325オーム | |||||||||||||
![]() | VLZ51-GS08 | - | ![]() | 6077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ51 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 45.6 v | 51 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | RKZ18AKU #P6 | 0.1000 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||
BZD27C75PHRFG | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 74.5 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84C39-TP | 0.1400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C39 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | ||||||||||||
![]() | SMBG5348C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 9743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5348 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 v | 2.5オーム | ||||||||||||
Jan1n4106c-1 | 10.5000 | ![]() | 9651 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4106 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5258B BK PBFREE | 0.0353 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n4473cus/tr | 26.9100 | ![]() | 6004 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jan1n4473cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 17.6 v | 22 v | 14オーム | |||||||||||||||
MMBZ4716-HE3-18 | - | ![]() | 5389 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4716 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 Na @ 29.6 v | 39 v | |||||||||||||||
![]() | PCDH20120CCG1_T0_00601 | 13.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | PCDH20120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-PCDH20120CCG1_T0_00601 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 10a (dc) | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
KBU25005-G | - | ![]() | 9151 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU25005 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 641-1360 | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 50 V | 3.6 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | 1N5933B | 2.6900 | ![]() | 922 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 112 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5367C/TR8 | 3.3900 | ![]() | 7712 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5367 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 31 V | 43 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4745CPE3/TR12 | 1.1550 | ![]() | 9681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5221B-AU_R1_000A1 | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5221 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMSZ5221B-AU_R1_000A1DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | PDZVTR12A | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-128 | PDZVTR12 | 1 W | PMDTM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 9 V | 12 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | SMAJ5940CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 8147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ5940 | 3 W | do-214ac(smaj) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n4957 | - | ![]() | 2947 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±4.95% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4957 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||||
1N4116-1 | 3.7950 | ![]() | 8294 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4116 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 18.3 v | 24 v | 150オーム | ||||||||||||||
MMBZ4717-HE3-18 | - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4717 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 Na @ 32.6 v | 43 v | |||||||||||||||
![]() | BZX384B2V7-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B2V7 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||
jantx1n4970 | 6.4800 | ![]() | 508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4970 | 5 W | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 25.1 v | 33 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4370A | 2.5200 | ![]() | 6163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4370 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N4370ams | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | 1N5265bur-1 | 3.5850 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5265 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | |||||||||||||
![]() | BZG05C12-HM3-08 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzg05c-m | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.42% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C12 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3326A | 49.3800 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3326 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 27.4 v | 36 v | 3.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5242B-TAP | 0.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5242 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5369B | - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5369 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N5369BOS | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 27オーム | |||||||||||
![]() | JANKCA1N4624C | - | ![]() | 6311 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4624c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム |
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