画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSXD080A010S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | セミク | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GSXD080 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 100 V | 160a | 840 mV @ 80 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | GP10-4005-E3/54 | 0.1780 | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | - | 1a | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N2275R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2275R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 300 V | -65°C〜200°C | 40a | - | |||||||||||||||
![]() | set010304 | - | ![]() | 1757 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | シャーシ、スタッドマウント | モジュール | set01 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||||||
![]() | PF0 | - | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.35 V @ 1.5 a | 300 ns | 1 µA @ 1000 V | - | 850ma | 18pf @ 5v、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | byv30b-600pj | 1.2375 | ![]() | 8459 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv30 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070884118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||
![]() | jantx1n6940utk3cs | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | Thinkey™3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 15 V | 500 mV @ 150 a | 5 ma @ 15 v | -65°C〜175°C | 150a | ||||||||||||||||||
SS36LWH | 0.5300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | SS36 | ショットキー | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 3 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | BAP50LX 、315 | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -65°C〜150°C | SOD-882 | BAP50 | SOD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 Ma | 150 MW | 0.35pf @ 5V、1MHz | ピン -シングル | 50V | 3OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||||
SBL845 | - | ![]() | 7261 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | SBL845DI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||||
![]() | RB205T-60 | 0.9002 | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RB205 | ショットキー | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 7.5a | 580 mV @ 7.5 a | 600 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||
![]() | ER1B-LTP | 0.0592 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ER1B | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ER1B-LTPMSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BZD17C120P M2G | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.41% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120 v | 300オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZV49-C18,115 | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | BZV49-C18 | 1 W | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZD27C4V7P-M-18 | - | ![]() | 2024 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C4V7 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | MBR10200CT | 0.5302 | ![]() | 9686 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1020 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | UFT12780 | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 60a | 1.35 V @ 60 a | 80 ns | 30 µA @ 800 V | |||||||||||||||||
![]() | NTE5097A | 0.9100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1 W | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5097A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 120 v | 700オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | ZMM24R13 | 0.0304 | ![]() | 2633 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMM24R13TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 70オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5350CE3/TR13 | 1.3350 | ![]() | 6503 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5350 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 9.4 v | 13 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | v1pm15-m3/h | 0.3500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | V1PM15 | ショットキー | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.21 V @ 1 a | 50 µA @ 150 v | -40°C〜175°C | 1a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | mur115gp-ap | 0.0736 | ![]() | 8102 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MUR115 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 970 mV @ 1 a | 45 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | UF4004 | 0.0385 | ![]() | 330 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | UF400 | 標準 | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2796-UF4004TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | jans1n6312cus | 521.5050 | ![]() | 3253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6312 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27オーム | ||||||||||||||||
MMBZ5225B-E3-08 | - | ![]() | 1129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5225 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 µA @ 1 V | 3 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | NSB8GTHE3/81 | - | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | NSB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
svm1045v2_r1_00001 | 0.7000 | ![]() | 914 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SVM1045 | ショットキー | TO-277 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SVM1045V2_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 440 mV @ 10 a | 220 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | 860pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | vs-20ctq040pbf | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 20CTQ040 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 10a | 640 mV @ 10 a | 2 MA @ 40 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||||
![]() | Jan1n4454ur-1 | 2.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/144 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 1N4454 | 標準 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||||||
![]() | BZD27C100P-E3-08 | 0.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27C | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C100 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム |
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