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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
KDZTR3.9B	0.1836	RFQ	9022	Rohm Semiconductor	KDZ	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	KDZTR3.9		1 W	PMDU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								40 µA @ 1 V						4.1 v
DZ9F5V6S92-7	0.3500	RFQ	9	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-923	DZ9F5		200 MW	SOD-923	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2.5 v						5.6 v	60オーム
1N755D-1	5.5800	RFQ	3077	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N755D-1	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						7.5 v	6オーム
DZ23C5V6	0.0280	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-DZ23C5V6TR	ear99		3,000	1ペア共通カソード													5.6 v	40オーム
BZV55-C4V3,135	0.2100	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZV55-C4V3		500 MW	llds;ミニフル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
cdll5221a/tr	2.7132	RFQ	3237	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5221A/TR	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						2.4 v	30オーム
1n5988ur-1/tr	3.7400	RFQ	9372	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264						1.1 V @ 200 mA								3.3 v
G4S06508QT	-	RFQ	8199	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			表面マウント	4-PowertSfn		sic （炭化シリコン）ショットキー		4-dfn （8x8）	-			未定義のベンダー	4436-G4S06508QT			1		回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 8 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	34a	395pf @ 0V、1MHz
MMBZ5234B-E3-08	0.2100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5234		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								5 µA @ 4 V						6.2 v	7オーム
3EZ5.6D2E3/TR12	-	RFQ	1087	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3ez5.6		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.6 v	2.5オーム
2EZ15D5/TR8	-	RFQ	7936	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ15		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 11.4 v						15 V	7オーム
1N4550B	53.5800	RFQ	7061	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N4550		500 MW	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		150 µA @ 500 mV						4.3 v	0.16オーム
UZ7712V	468.9900	RFQ	6700	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-			影響を受けていない	150-UZ7712V	ear99	8541.10.0050	1								75 µA @ 9.1 v						12 v	1.3オーム
1N3312ra	49.3800	RFQ	6458	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3312		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 9.9 v						13 v	1.1オーム
jantxv1n4989dus	51.1200	RFQ	7257	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4989dus	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 152 v						200 v	500オーム
1N3328A	49.3800	RFQ	3554	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3328		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 32.7 v						43 v	4.5オーム
jans1n4483cus	283.8300	RFQ	3789	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-			影響を受けていない	150-jans1n4483cus	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 v						56 v	70オーム
CDBD2050-HF	-	RFQ	3817	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3		ショットキー		d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	20a （dc）	750 mv @ 10 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MMBZ4715-HE3-18	-	RFQ	1875年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4715		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								10 Na @ 27.3 v						36 v
BZG05B15-HE3-TR3	-	RFQ	5066	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 11 V						15 V	15オーム
jans1n4617d-1/tr	145.5010	RFQ	4220	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4617d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						2.4 v	1.4オーム
BZD27B16P-M3-18	0.1155	RFQ	8526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 12 V						16 v	15オーム
RL207-BP	0.0660	RFQ	7255	Micro Commercial Co	-	バルク	新しいデザインではありません			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	RL207	標準		DO-15	ダウンロード				353-RL207-BP	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1000 V		1 V @ 2 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	2a	20pf @ 4V、1MHz
BZT52C5V1LP-7	0.4500	RFQ	23	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	BZT52		250 MW	x1-dfn1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
MMBZ5234A-HF	0.0556	RFQ	7815	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.94％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5234		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		641-MMBZ5234A-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 100 MA		5 µA @ 4 V						6.2 v	7オーム
1N3326A	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3326		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3326a	ear99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 10 a		5 µA @ 25.9 v						36 v	3.5オーム
BZX85B30-TR	0.3800	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B30		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 22 V						30 V	30オーム
TS6P04G D2G	-	RFQ	2683	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p	TS6P04	標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15						1.1 V @ 6 a		10 µA @ 400 V		6 a		単相	400 V
Jan1n935bur-1	-	RFQ	2306	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/156	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								10 µA @ 6 V						9 v	20オーム
PZS115V3BES_R1_00001	0.0270	RFQ	9180	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.09％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	PZS115v3		150 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,330,000								10 µA @ 4 V						5.3 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²