画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DURF1060 | 1.8000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | dur | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | DURF1060 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.2 V @ 10 a | 32 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | BAT54CWT1G | - | ![]() | 7445 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT54 | ショットキー | SC-70-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||||
![]() | MS109/TR8 | - | ![]() | 8035 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MS109 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 810 mv @ 1 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | SK520LQ-TP | 0.7800 | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | 1 (無制限) | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 5 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 5a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
GBLA04-E3/51 | 0.6630 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBLA04 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 3 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | MM3Z2V4T1G | 0.1700 | ![]() | 61 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±8% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MM3Z2 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n2840b | - | ![]() | 4241 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2840 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 83.6 v | 110 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | V40D100CHM3/i | 2.2400 | ![]() | 737 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V40D100 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 15a | 970 mV @ 15 a | 800 µA @ 120 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | DB157S-T | 0.1500 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Rectron USA | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | DB-S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-DB157S-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1.5 a | 1 µA @ 1000 V | 1.5 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | 3EZ43D5E3/TR8 | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ43 | 3 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5943BE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5943 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||||
jantxv1n5536c-1/tr | 20.8544 | ![]() | 3199 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5536c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 14.4 v | 16 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5242AW_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 5624 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBZ5242 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | PZM3.3NB2,115 | - | ![]() | 7863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.3 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | SMBJ5363BE3/TR13 | 0.8250 | ![]() | 5508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5363 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 21.6 v | 30 V | 8オーム | |||||||||||||
![]() | 1N3890AR | 50.8800 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/304 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N3890 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 38 a | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | CD6342 | 2.1014 | ![]() | 3454 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6342 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Ro 2c | - | ![]() | 6887 | 0.00000000 | サンケン | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | 軸 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 920 mv @ 1.5 a | 10 µA @ 1000 v | -40°C〜150°C | 1.2a | - | ||||||||||||||
SB330A-E3/54 | - | ![]() | 2437 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | SB330 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | TZMC8V2-M-08 | 0.0324 | ![]() | 1625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC8v2 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | cdll822/tr | 4.4100 | ![]() | 3837 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4.83% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll822/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT4128E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4128 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 45.6 v | 60 V | 250オーム | |||||||||||||
![]() | f1t7g a0g | - | ![]() | 3372 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | F1T7 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
DSEP30-12CR | 11.9800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys | Hiperdynfred™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | ISOPLUS247™ | DSEP30 | 標準 | ISOPLUS247™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DSEP3012CR | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 4.98 V @ 30 a | 15 ns | 250 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||
![]() | Surs283T3-1G-VF01 | - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 488-SURS283T3-1G-VF01 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n756dur-1 | 14.2500 | ![]() | 7996 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | rurd3020 | 2.7200 | ![]() | 253 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-218-3 分離タブ、 TO-218AC | 雪崩 | TO-218隔離 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1 V @ 30 a | 50 ns | 30 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | 1N715A | 1.9350 | ![]() | 5130 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N715 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 11 v | 9オーム | |||||||||||||||
MTZJT-779.1C | - | ![]() | 6845 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | mtzj。 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±3% | - | 穴を通して | do-204ag | 500 MW | MSD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 20オーム | ||||||||||||||||
CDLL4471 | 11.4600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL4471 | 1.5 w | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.4 v | 18 v | 11オーム |
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