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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
MBRB2045CT-E3/45	1.6100	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB2045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	45 v	10a	650 mV @ 10 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
1PS300/ZL115	0.0300	RFQ	167	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					1ps300				ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000
HSM120JE3/TR13	0.8550	RFQ	4328	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					HSM120				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
VS-95-5207PBF	-	RFQ	5096	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
jantx1n6318us	21.1200	RFQ	6222	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6318		500 MW	B、sq-melf	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		5 µA @ 2.5 v						5.6 v	8オーム
1N5407-TP	-	RFQ	1003	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	1N5407	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200	標準回復> 500ns			800 V		1 V @ 3 a		5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
1N5246B/TR	2.0083	RFQ	9486	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5246B/TR	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v						16 v	17オーム
U20DCT-E3/4W	-	RFQ	9326	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	U20	標準		TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	200 v	10a	1 V @ 10 a	80 ns	15 µa @ 200 v	-55°C〜150°C
1N4151W-HE3-18	0.0360	RFQ	2754	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	1N4151	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			50 v		1 V @ 50 mA	4 ns	50 Na @ 50 V	-55°C〜150°C	150ma	-
SFAF804G	-	RFQ	7519	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2フルパック	SFAF804	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			200 v		950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	8a	90pf @ 4V、1MHz
1N5353CE3/TR8	3.3900	RFQ	9675	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5353		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v						16 v	2.5オーム
db3x201k0l	-	RFQ	3335	パナソニック電子コンポーネント	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-236-3	DB3X201	ショットキー		SC-59	-	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns			20 v		550 mV @ 500 Ma	4.3 ns	10 µA @ 10 V	125°C （最大）	500mA	12pf @ 10V、1MHz
CZRFR52C2V4-HF	0.0805	RFQ	5949	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜125°C	表面マウント	1005 （2512 メトリック）	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						900 mV @ 10 Ma		100 µA @ 1 V						2.4 v	85オーム
rurd660S9a	-	RFQ	1818年	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	rurd660	標準		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns			600 V		1.5 V @ 6 a	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
1N5933AP/TR8	1.8600	RFQ	6692	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5933		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 16.7 v						22 v	17.5オーム
HSMS-280F-BLKG	-	RFQ	7979	Broadcom Limited	-	バルク	廃止		150°C （TJ）		SC-70、SOT-323				SOT-323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		1 a									2PF @ 0V、1MHz	Schottky -1ペア共通カソード	70V			35OHM @ 5MA、1MHz
1N5520A/TR	1.9950	RFQ	6654	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5520A/TR	ear99	8541.10.0050	477						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 900 mV						3.9 v
SRS2050HMNG	-	RFQ	6502	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SRS2050	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	50 v	20a	700 mV @ 10 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
BYV98-150-TR	0.5742	RFQ	9504	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	byv98	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500	高速回復= <500ns			150 v		1.1 V @ 5 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	4a	-
D8015L	-	RFQ	1309	Littelfuse Inc.	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3分離タブ	D8015	標準		TO-220分離タブ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		-D8015L	ear99	8541.10.0080	500	標準回復> 500ns			800 V		1.6 V @ 9.5 a	4 µs	20 µA @ 800 V	-40°C〜125°C	9.5a	-
egl41ahe3_a/i	-	RFQ	4879	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	EGL41	標準		DO-213AB	ダウンロード			影響を受けていない	egl41ahe3_b/i	ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns			50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
CDS748A-1	-	RFQ	8583	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS748A-1	ear99	8541.10.0050	50
bav301-tr	0.2500	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	bav301	標準		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns			100 V		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 100 V	175°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
CD5231B	1.4497	RFQ	1309	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5231B	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 v	17オーム
pmeg1201aesfyl	-	RFQ	5128	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	0201 （0603 メトリック）		ショットキー		DSN0603-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	9,000	高速回復= <500ns			12 v		200 mV @ 30 Ma	2.2 ns	2 mA @ 12 v	125°C （最大）	100mA	26pf @ 1V、1MHz
IDH20G120C5XKSA1	12.9500	RFQ	2	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	IDH20G120	sic （炭化シリコン）ショットキー		PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	回復時間なし> 500ma			1200 v		1.8 V @ 20 a	0 ns	123 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	56a	1050pf @ 1V、1MHz
HS1ML MTG	-	RFQ	5813	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	HS1M	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns			1000 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
GSXD080A010S1-D3	34.6525	RFQ	5949	セミク	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GSXD080	ショットキー		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	13	高速回復= <500ns		2独立	100 V	160a	840 mV @ 80 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C
GP10-4005-E3/54	0.1780	RFQ	8628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns			600 V					-	1a	-
1N2275R	2.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性		DO-5	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N2275R	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns			300 V		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 300 V	-65°C〜200°C	40a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²