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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N4734A-TR	0.3700	RFQ	63	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4734		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 v	5オーム
GS1AQ	0.0370	RFQ	750	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-GS1AQTR	ear99		7,500
udzste-1727b	0.3500	RFQ	45	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	±3％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	udzste		200 MW	UMD2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 21 V						27 v	150オーム
SDM2100S1F-7-2477	-	RFQ	6630	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	前回購入します			表面マウント	SOD-123F		ショットキー		SOD-123F	-				31-SDM2100S1F-7-2477			1	高速回復= <500ns		100 V		830 mV @ 2 a		150 Na @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	42pf @ 4V、1MHz
S1MSP1-7	-	RFQ	6889	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	Powerdi®123	S1M	標準		Powerdi™123	-	ROHS3準拠		影響を受けた		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1.2 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	4PF @ 4V、1MHz
MMSZ5221BS	0.0180	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MMSZ5221BSTR	ear99		3,000
BZD27B5V6P-HE3-18	0.1238	RFQ	6170	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B5V6		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 v	4オーム
BZX85B7V5-TAP	0.3800	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B7V5		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							1 µA @ 4.5 v						7.5 v	3オーム
MMSZ5232BS-7-F	0.2800	RFQ	36	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	MMSZ5232		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 3 V						5.6 v	11オーム
1N7052-1	7.1700	RFQ	9771	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	穴を通して	DO-204AA	1N7052		250 MW	DO-7	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													4.8 v	35オーム
1N5250B_S00Z	-	RFQ	2804	onsemi	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5250		500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	25オーム
jantxv1n6325dus	71.3850	RFQ	6784	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6325		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8.5 v						11 v	7オーム
jantxv1n6347	14.6700	RFQ	7247	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6347		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 69 v						91 v	270オーム
3EZ27D/TR12	-	RFQ	1631	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ27		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 20.6 v						27 v	10オーム
gdz5v1b-g3-18	0.0445	RFQ	5903	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ5V1		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							2 µA @ 1 V						5.1 v	80オーム
CDLL943A	69.0000	RFQ	8386	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					CDLL943				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
SK84-AQ	0.2959	RFQ	9038	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-SK84-AQTR		8541.10.0000	3,000	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 8 a		200 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	8a	-
1N4737a 、133	0.3900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4737		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V						7.5 v	4オーム
SMA2EZ27D5-TP	-	RFQ	2240	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMA2EZ27		2 W	do-214ac	-	ROHS3準拠			353-SMA2EZ27D5-TPTR	ear99	8541.10.0050	7,500					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 20.6 v						27 v	18オーム
VS-86HF160	16.7112	RFQ	7581	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	86HF160	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1600 v		1.4 V @ 267 a		4.5 mA @ 1600 v	-65°C〜150°C	85a	-
QRF0630T30	-	RFQ	1182	Powerex Inc.	-	バルク	廃止			シャーシマウント	モジュール		標準		モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	4	高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	600 V	100a	2.8 V @ 300 a	110 ns	1 MA @ 600 v
BAS40-06-7-F	0.2500	RFQ	157	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS40	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	40 v	200MA （DC）	1 V @ 40 mA	5 ns	200 Na @ 30 V	-55°C〜125°C
DURF1060	1.8000	RFQ	14	Littelfuse Inc.	dur	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	DURF1060	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		2.2 V @ 10 a	32 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	10a	-
BAT54CWT1G	-	RFQ	7445	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAT54	ショットキー		SC-70-3	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
MS109/TR8	-	RFQ	8035	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	MS109	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		90 v		810 mv @ 1 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜175°C	1a	-
SK520LQ-TP	0.7800	RFQ	1143	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		do-214ab	ダウンロード		1 （無制限）					3,000	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 5 a		5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	5a	100pf @ 4V、1MHz
GBLA04-E3/51	0.6630	RFQ	2385	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBLA04	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 4 a		5 µA @ 400 V		3 a		単相	400 V
MM3Z2V4T1G	0.1700	RFQ	61	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±8％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	MM3Z2		300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V						2.4 v	100オーム
jan1n2840b	-	RFQ	4241	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2840		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 83.6 v						110 v	30オーム
V40D100CHM3/i	2.2400	RFQ	737	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V40D100	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	15a	970 mV @ 15 a		800 µA @ 120 V	-40°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²