画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGB8FT-E3/81 | - | ![]() | 1349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||||
![]() | jan1n6355dus | - | ![]() | 1090 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 152 v | 200 v | 1800オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4003-N-2-1-BP | - | ![]() | 6779 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4003 | 標準 | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1N4003-N-2-1-BPMS | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | - | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | CDLL5253C | 6.7200 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5253C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5932B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 4151 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5932 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | |||||||||||||||||
![]() | MURS340HE3/57T | - | ![]() | 1913年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | MURS340 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.28 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | jantx1n3025c-1/tr | 19.6175 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3025c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52-B11X | 0.0417 | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.82% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | PZS5136BAS-AU_R1_000A1 | 0.0378 | ![]() | 5813 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | PZS5136 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 10 Na @ 27.3 v | 36 v | |||||||||||||||||||
![]() | DD241S14KHPSA1 | - | ![]() | 6248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1400 v | 240a | 1.55 V @ 800 a | 200 mA @ 1400 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | CGRM4001-HF | - | ![]() | 8871 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-123T | CGRM4001 | 標準 | sma/SOD-123 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1SMA4752-GT3 | 0.0710 | ![]() | 5924 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1 W | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||||||
![]() | GC2511-150A | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC2511-150ATR | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.6pf @ 6V、1MHz | シングル | 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||
MBR16H50-E3/45 | - | ![]() | 2508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR16 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 730 mv @ 16 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - | |||||||||||||||||
![]() | murd1040c-tp | 0.3381 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | Murd1040 | 標準 | dpak(to-252) | ダウンロード | 353-MURD1040C-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||
![]() | SMBG4743E3/TR13 | - | ![]() | 8678 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG4743 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||
![]() | GC4713-31 | - | ![]() | 7128 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | - | - | - | 影響を受けていない | 150-GC4713-31 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5 W | 0.5pf @ 6V、1MHz | ピン -シングル | 45V | 1OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | stps1045sfy | 0.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 自動車、AEC-Q101 、ECOPACK®2 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | STPS1045 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 50 µA @ 45 v | -40°C〜175°C | 10a | - | |||||||||||||||||
![]() | S3D16065D | 4.8200 | ![]() | 600 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | S3D16065 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -1765-S3D16065D | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 23a | 1.8 V @ 8 a | 0 ns | 51 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | BZT03D9V1-TAP | - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±6.04% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 20 µA @ 6.8 v | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||||||
![]() | CDLL5228C | 6.7200 | ![]() | 8308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5228C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3015b | - | ![]() | 2693 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 152 v | 200 v | 300オーム | |||||||||||||||||||
jantx1n5617us/tr | 8.6700 | ![]() | 1265 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/429 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5617us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.6 V @ 3 a | 150 ns | 500 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 35pf @ 12V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | Hz5b3re-e | 0.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5916AE3/TR13 | - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5916 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 6オーム | ||||||||||||||||||
SK35AHR3G | - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK35 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 720 mV @ 3 a | 200 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | RB851YT2R | - | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-75-4 、SOT-543 | RB851Y | ショットキー | EMD4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 3 v | 30MA (DC) | 460 mV @ 1 Ma | 700 NA @ 1 V | 125°C (最大) | ||||||||||||||||
![]() | SBR05M60BLP-7 | 0.7900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-powerudfn | SBR05M60 | スーパーバリア | U-DFN3030-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 490 mV @ 500 Ma | 100 µA @ 60 V | 500 Ma | 単相 | 60 V | |||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5951E3/TR7 | - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5951 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91.2 v | 120 v | 380オーム | |||||||||||||||||
jan1n6342d | 49.5300 | ![]() | 3935 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6342d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 43 v | 56 v | 100オーム |
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