画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB162MM-30TFTR | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | RB162 | ショットキー | PMDU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 520 mV @ 1 a | 100 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5937E3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 2370 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5937 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | bav70w | 0.0327 | ![]() | 5995 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | bav70 | 標準 | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 75 v | 150ma | 1 V @ 50 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | sdurs30q60wt | 1.6500 | ![]() | 40 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | SDURS30 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 30 a | 40 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||
![]() | BZX84-A33,215 | 0.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 NA @ 700 mV | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||||
Jan1n3595us | 9.6750 | ![]() | 9928 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | -65°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||||||
![]() | jans1n7055-1/tr | 153.2700 | ![]() | 3071 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n7055-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
BZD27C22PHRHG | - | ![]() | 1943年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.66% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22.05 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | SF38G-TP | 0.1261 | ![]() | 4012 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF38 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | CZRU52C10 | 0.3400 | ![]() | 167 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CZRU52C10 | 150 MW | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | KBU808-G | - | ![]() | 7433 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | - | 641-KBU808-G | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 10 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n6349dus | 57.9000 | ![]() | 5470 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6349dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 84 v | 110 v | 500オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n4955us | - | ![]() | 3749 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±4.93% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 1N4955 | 5 W | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | MMBZ5230BLT1 | - | ![]() | 1164 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | GPAS1007 MNG | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GPAS1007 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
DPG10I300PA | 1.7700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | DPG10I300 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.27 V @ 10 a | 35 ns | 1 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||||
1N5272A-1 | 3.0750 | ![]() | 5253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5272A-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 80 V | 110 v | 750オーム | ||||||||||||||||
MNS1N5806US/TR | 8.9550 | ![]() | 4119 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/477 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準、逆極性 | a sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-MNS1N5806US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 160 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||
jan1n987b-1/tr | - | ![]() | 8682 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n987b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 91.2 v | 120 v | 900オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRS1090CT MNG | - | ![]() | 1980年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1090 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 90 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | NRVTS12120MFST3G | 1.0800 | ![]() | 9239 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | NRVTS12120 | ショットキー | 5-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 120 v | 830 mv @ 12 a | 75 µA @ 120 v | -55°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||
VS-100BGQ030HF4 | 4.5103 | ![]() | 2044 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | Powertab® | 100bgq030 | ショットキー | Powertab® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS100BGQ030HF4 | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 30 V | 630 mv @ 100 a | 2.4 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | 100a | - | ||||||||||||
![]() | MBR20150CT | 1.3600 | ![]() | 113 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20150 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.23 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | jantx1n4978c | 18.2550 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4978 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 51.7 v | 68 v | 50オーム | |||||||||||||
![]() | 1N3345A | 8.5000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3345A | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 a | 5 µA @ 100.8 v | 140 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | cbs10f40、l3f | 0.4300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-882 | CBS10F40 | ショットキー | CST2B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 700 mV @ 1 a | 20 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 1a | 74pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SS10U60 | 0.2410 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS10U60TR | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU14B2A 、115 | 0.2800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PZU14 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 na @ 11 v | 14 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | JANTX1N4372CUR-1 | 15.3750 | ![]() | 7558 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4372 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 30 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n4148ubccc | 30.6432 | ![]() | 8968 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/116 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1N4148 | 標準 | UBC | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n4148ubccc | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 75 v | 1a | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 25 Na @ 20 V | -65°C〜200°C |
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