画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR306-TP | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR306 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 高速回復= <500ns | 60 V | 720 mV @ 3 a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 1N6657R | 256.5300 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/616 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 1N6657 | 標準 | TO-254 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.2 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 15a | 150pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
![]() | 2EZ18D/TR12 | - | ![]() | 5826 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ18 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | NTE573-2 | 1.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE573-2 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 900 mV @ 5 a | 200 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 5a | 120pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5265B TR TIN/LEAD | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n3039d-1/tr | 32.2392 | ![]() | 8362 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3039d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4711UR-1 | 5.0850 | ![]() | 3217 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4711 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 10 Na @ 20.4 v | 27 v | |||||||||||||
![]() | 1N4701/tr | 3.6575 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4701/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.6 v | 14 v | |||||||||||||
![]() | JANTX1N1616 | - | ![]() | 6743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/162 | バルク | sicで中止されました | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.5 V @ 15 a | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||
![]() | BAS70-06B5003 | 0.0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS70 | ショットキー | PG-SOT23-3-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 100 Na @ 50 V | 150°C | ||||||||||
![]() | 1N4001GP | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | 標準 | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | 適用できない | 適用できない | 未定義のベンダー | 2796-1N4001GPTR | 8541.10.0000 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | 25FR10 | 2.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-25FR10 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.2 V @ 25 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 25a | - | ||||||||||
![]() | D3Z8V2BF-7 | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | D3Z8v2 | 400 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 500 NA @ 5 V | 8.19 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ5334C/TR13 | - | ![]() | 2833 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5334 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 150 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | SMZJ3807A-E3/52 | - | ![]() | 1180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ38 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | ||||||||||||
![]() | A177pb | - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | A177 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 2.3 µs | -40°C〜125°C | 100a | - | ||||||||||||
![]() | SRT13HR0G | - | ![]() | 9180 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | T-18 、軸 | SRT13 | ショットキー | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | SMBG4752/TR13 | - | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG4752 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | 1N4448WS | 0.0290 | ![]() | 45 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 1N4448 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 8541.10.0000 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 100 Na @ 75 V | -55°C〜150°C | 150ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX55C9V1-TAP | 0.2300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C9V1 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | 1N4937GPE-E3/54 | 0.1754 | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
MMBZ5257C-G3-18 | - | ![]() | 5739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||
![]() | SMBJ5918AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 2551 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5918 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | MM1Z4689 | 0.0404 | ![]() | 2654 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MM1Z4689TR | 8541.10.0000 | 24,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | ||||||||||||||
![]() | 1n4755aur/tr | 3.6200 | ![]() | 9569 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n6912utk2cs/tr | 364.6950 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/723 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | Thinkey™2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n6912utk2cs/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 45 v | 640 mV @ 25 a | 1.2 mA @ 45 v | -65°C〜150°C | 25a | 1000pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4752CPE3/TR8 | 1.1550 | ![]() | 2390 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4752 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | DD60KB80 | 38.4200 | ![]() | 5235 | 0.00000000 | Sanrex Corporation | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 4076-DD60KB80 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 800 V | 60a | 1.35 V @ 180 a | 20 mA @ 800 v | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | R306040F | 49.0050 | ![]() | 1966年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-R306040F | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SB4060PT_T0_00001 | 0.8721 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | SB4020PT | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | SB4060 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SB4060PT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 40a | 700 mV @ 20 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C |
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