画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ACZRA4744-HF | 0.1711 | ![]() | 8275 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ACZRA4744 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||
![]() | ammsz5247b-hf | 0.0725 | ![]() | 5135 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | AMMSZ5247 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS準拠 | 641-AMMSZ5247B-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | ||||||||||||
![]() | MMBZ5232BT-7-G | - | ![]() | 6482 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MMBZ5232BT-7-GDI | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B6V8,315 | 0.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | BZX884-B6V8 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n4551rb | - | ![]() | 8390 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 100 µA @ 1 V | 4.7 v | 0.12オーム | |||||||||||||
![]() | NTE5868 | 11.4500 | ![]() | 35 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5868 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 19 a | 12 mA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||||
![]() | 181nq045-1 | 27.7625 | ![]() | 1479 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ハーフパック | 181nq | ショットキー | PRM1-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 181NQ045-1SMC | ear99 | 8541.10.0080 | 27 | 高速回復= <500ns | 45 v | 660 mV @ 180 a | 15 mA @ 45 v | -55°C〜175°C | 180a | 7800PF @ 5V、1MHz | |||||||||
janhca1n4579a | 24.6000 | ![]() | 8753 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhca1n4579a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | BZT52-C8V2-AU_R1_000A1 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-C8V2-AU_R1_000A1CT | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 6 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | HPZR-C50X | 0.3900 | ![]() | 1971年年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | HPZR | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123W | 962 MW | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 43 v | 50 v | 59.36オーム | ||||||||||||
![]() | BZS55B16 RAG | - | ![]() | 8578 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B16RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||
![]() | RB050LAM-40TR | 0.4800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | RB050 | ショットキー | PMDTM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | 2EZ43D5/TR12 | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ43 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 35オーム | |||||||||||
![]() | MMSZ5229C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5229C-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | ||||||||||||||
![]() | FESB8CT-E3/81 | 0.7496 | ![]() | 6481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | BZX79C12 | 0.0287 | ![]() | 2895 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79C12TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | B350B-M3/5BT | 0.1200 | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | B350 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 50 v | 660 mV @ 3 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
DF04S-G | 0.6100 | ![]() | 321 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF04 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||
![]() | 2EZ12D5/TR8 | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ12 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 4.5オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ5940A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5940 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | |||||||||||
![]() | KBP06ML-6161E4/72 | - | ![]() | 1359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | KBP06 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 a | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | 1N4747AHR1G | - | ![]() | 8631 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4747 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | mur440shr7g | - | ![]() | 7197 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR440 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZX585-C75,115 | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585-C75 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | |||||||||||
DSS16-0045AS-TUB | - | ![]() | 2183 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | DSS16 | ショットキー | TO-263AA | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 670 mV @ 15 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜175°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | ES1CH | - | ![]() | 9494 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES1CHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 16pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | CDLL5991 | 2.2950 | ![]() | 3959 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | CDLL5991 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 3N250-E4/72 | - | ![]() | 9212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3N250 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 a | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | 1N732A | 1.9200 | ![]() | 3610 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N732 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 56 v | 0.14オーム | |||||||||||||
![]() | 1N2055 | 158.8200 | ![]() | 9647 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2055 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 100 V | -65°C〜190°C | 275a | - |
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