画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSZU52C16 | 0.0669 | ![]() | 7439 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C16TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n4615ur-1/tr | 8.1662 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4615ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1250オーム | |||||||||||||||
![]() | NRTS6100PFST3G | 0.9000 | ![]() | 4875 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | TO-277-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 680 mV @ 6 a | 50 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 6a | 827pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jan1n3008rb | - | ![]() | 8097 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 91.2 v | 120 v | 75オーム | |||||||||||||||
jantxv1n5969cus | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 1 MA @ 4.74 v | 6.2 v | 1オーム | ||||||||||||||||
![]() | jan1n5520dur-1/tr | 41.1768 | ![]() | 8373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5520dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22オーム | ||||||||||||||
![]() | jan1n3050cur-1/tr | - | ![]() | 9862 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.25 w | do-213ab | - | 150-jan1n3050cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | ||||||||||||||||
CDLL3030B | 15.3000 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3030 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | rs3mhm6g | - | ![]() | 1593 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | RS3M | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | BZT52-C68,115 | - | ![]() | 6421 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
CDBU43-HF | 0.0600 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CDBU43 | ショットキー | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CD4740A | 1.8354 | ![]() | 8994 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 1 W | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4740A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | S1FLK-M-08 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1F | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | UZ7707HR2 | 647.4450 | ![]() | 1017 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7707HR2 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 800 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 0.7オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ5932AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 2492 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5932 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | |||||||||||||
![]() | BZX585-B4V3,115 | - | ![]() | 3051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||||||
![]() | Hz9c1lta-e | 0.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
1N457A/TR | 3.9600 | ![]() | 9155 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準、逆極性 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N457A/TR | ear99 | 8541.10.0070 | 239 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 100 MA | 1 µA @ 70 V | -65°C〜150°C | 150ma | - | |||||||||||||||
![]() | 1N5382A/TR8 | - | ![]() | 6244 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5382 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 101 v | 140 v | 230オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52C9V1-13-F-79 | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | BZT52 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BZT52C9V1-13-F-79DI | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S307050F | 49.0050 | ![]() | 6718 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S307050F | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1n6318d | 30.4350 | ![]() | 7819 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6318 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | DB151 | 0.1098 | ![]() | 5632 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.321 "、8.15mm) | DB151 | 標準 | DB-M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 50 V | 1.5 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | 2CL73A | 0.1545 | ![]() | 246 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-2CL73ATR | 8541.10.0000 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 12000 v | 45 V @ 10 Ma | 80 ns | 2 µA @ 12000 v | -40°C〜120°C | 5MA | - | |||||||||||||
![]() | P2500G-CT | 2.4583 | ![]() | 500 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P2500 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-P2500G-CT | 8541.10.0000 | 12 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 25 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 25a | - | |||||||||||
![]() | DD104N16KKHPSA1 | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | Pow-R-Blok™モジュール | DD104N16 | 標準 | Pow-R-Blok™モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 104a | 1.4 V @ 300 a | 20 mA @ 1600 v | 150°C | ||||||||||||
![]() | 243NQ100R-1 | 39.7300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | ハーフパック | 243nq | ショットキー | PRM1-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 1655-243NQ100R-1 | ear99 | 8541.10.0080 | 27 | 高速回復= <500ns | 100 V | 860 mV @ 240 a | 6 MA @ 100 V | -55°C〜175°C | 240a | 4800PF @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N1190ra | 2.5000 | ![]() | 1760 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N1190ra | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1.2 V @ 30 a | -65°C〜200°C | 12a | - | ||||||||||||||
![]() | bzt52b7v5 rhg | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 900 Na @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | TZM5240B-GS18 | 0.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5240 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム |
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