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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SDM02M30DCP3-7	0.0554	RFQ	9557	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	3-xfdfn	SDM02	ショットキー		X3-DSN1006-3	ダウンロード			影響を受けていない	31-SDM02M30DCP3-7TR	ear99	8541.10.0070	5,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	400mA	750 mv @ 200 ma	2.99 ns	2 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
1N1397	38.3850	RFQ	5318	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N1397	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		100 V		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 100 V	-65°C〜200°C	100a	-
CD4108C	-	RFQ	6220	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4108C	ear99	8541.10.0050	305						1.5 V @ 200 mA		50 Na @ 10.65 v				14 v	200オーム
1N5236A/TR	3.6442	RFQ	5248	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5236A/TR	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 5.7 v				7.5 v	6オーム
S32160	49.0050	RFQ	3880	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S32160			1
jans1n7052-1	153.1200	RFQ	5478	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jans1n6348us	164.8650	RFQ	9921	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		50 Na @ 76 v				100 V	340オーム
1N5245/tr	2.2650	RFQ	2035	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5245/tr	ear99	8541.10.0050	417						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 10.5 v				15 V	16オーム
jan1n4135-1/tr	3.7772	RFQ	7269	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4135-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 76 v				100 V	1600オーム
SBT40100VCT_T0_00001	-	RFQ	5958	Panjit International Inc.	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	SBT40100	ショットキー		TO-220AB	-	ROHS3準拠	適用できない		3757-SBT40100VCT_T0_00001	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	20a	760 mV @ 20 a		120 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
NSR05T304MXT5G	-	RFQ	7848	onsemi	-	バルク	廃止									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	488-NSR05T304MXT5G	ear99	8541.10.0070	1
TZM5250B-GS08	0.2300	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5250		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V				20 v	25オーム
S3JB-TP	0.4800	RFQ	2	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S3J	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 3 a		10 µA @ 600 V	-	3a	40pf @ 4V、1MHz
VS-HFA08PB60-N3	2.7819	RFQ	9198	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	HFA08	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-HFA08PB60-N3GI	ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	8a	-
1N5945AP/TR8	1.8600	RFQ	1753	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5945		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51.2 v				68 v	120オーム
BZX85C12-TR	0.3800	RFQ	21	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C12		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 9.1 v				12 v	9オーム
jantx1n6941utk3/tr	506.5350	RFQ	3073	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		ショットキー		Thinkey™3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n6941utk3/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 50 a		5 ma @ 30 v	-65°C〜150°C	150a	7500PF @ 5V、1MHz
jan1n6328cus/tr	63.8550	RFQ	6542	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jan1n6328cus/tr	ear99	8541.10.0050	100						1.4 V @ 1 a		50 na @ 11 v				15 V	10オーム
BZX84-C11/DG/B3,21	-	RFQ	2124	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934065289215	ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V				11 v	20オーム
Jan1n3050d-1	-	RFQ	5253	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115N	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-13			1 W	do-13（do-202aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 136.8 v				180 v	1200オーム
B5819wq	0.0380	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-B5819WQTR	ear99		3,000
CMKZ5222B TR	-	RFQ	6916	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363			200 MW	SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000	3独立					900 mV @ 10 Ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30オーム
TZM5222B-GS08	0.3100	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5222		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				2.5 v	30オーム
1N6351	8.4150	RFQ	6769	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6351		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		50 Na @ 99 v				130 v	850オーム
RS3D M6	-	RFQ	1895年	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-RS3DM6TR	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 3 a	150 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	-
BZD27B7V5P-E3-08	0.1155	RFQ	5050	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B7V5		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.2 V @ 200 mA		50 µA @ 3 V				7.5 v	2オーム
MBR1035CTHC0G	-	RFQ	9385	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR1035	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 35 V	-55°C〜150°C
PMEG6020ELR115	1.0000	RFQ	2481	Nexperia USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PMEG6020				ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	3,000
GDZ10LP3-7	0.2700	RFQ	14	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	0201 （0603 メトリック）	GDZ10		250 MW	X3-DFN0603-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								200 Na @ 7 V				10 v
1N4624E3	2.8050	RFQ	8230	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4624E3	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V				4.7 v	1550オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²