画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT5947/TR7 | 2.2200 | ![]() | 3028 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5947 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62.2 v | 82 v | 160オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRB10100CT | 1.7800 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | MBR | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ショットキー | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 850 mv @ 5 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | SMBG4733AE3/TR13 | - | ![]() | 7413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG4733 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | DB157 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.321 "、8.15mm) | DB157 | 標準 | DB-M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | 1.5 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | 1N1188R | 10.1200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1188R | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1094 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 35 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 35a | - | ||||||||||||||
![]() | SF21G-BP | 0.0873 | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SF21 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | 353-SF21G-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 2a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX85C8V2 | 0.0645 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX85C8V2TR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 1 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5368C/TR12 | 3.3900 | ![]() | 6250 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5368 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 33.8 v | 47 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4955 | - | ![]() | 1113 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | ±4.93% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4955 | 5 W | 軸 | ダウンロード | 適用できない | 1N4955S | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZT03D33-TR | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.06% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 24 V | 33 v | 15オーム | |||||||||||||||
jantxv1n753a-1 | 5.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N753 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6.2 v | 3オーム | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N6640US | 12.6600 | ![]() | 200 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | 軍事、MIL-PRF-19500 /578および /609 | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | sq-melf d | 標準 | D-5d | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 90 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |||||||||||||||
![]() | CD6491 | 2.1014 | ![]() | 3621 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6491 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | NSF8GT-E3/45 | - | ![]() | 4367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | NSF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | UF1600CT_T0_00001 | 0.3213 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | UF1600 | 標準 | TO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-UF1600CT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 16a | 1 V @ 8 a | 50 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZT52C8V2LS-TP | 0.0355 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | - | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZT52C8V2 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | 353-BZT52C8V2LS-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||
1N5523/tr | 1.9950 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5523/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | |||||||||||||||||||
![]() | UF4003-E3/73 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF4003 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | CDLL825AE3 | 6.0300 | ![]() | 3471 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±4.84% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL825AE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||
B0520LW RHG | 0.0878 | ![]() | 1061 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | B0520 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 385 mV @ 500 Ma | 250 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 500mA | 170pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
KBP206G-BP | - | ![]() | 7489 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gbp | KBP206 | 標準 | 英ポンド | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 1.1 V @ 2 a | 10 µA @ 600 V | 2 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4993 | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Semtech Corporation | * | バルク | sicで中止されました | - | 600-jantxv1n4993 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n5620/tr | 6.0750 | ![]() | 4385 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5620/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | BA783-E3-08 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SOD-123 | BA783 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 Ma | 1.2pf @ 3V、1MHz | ピン -シングル | 35V | 1.2OHM @ 3MA、1GHz | |||||||||||||||||
![]() | S1MMSD4148T1G | 0.0500 | ![]() | 477 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-12FR80 | 6.2000 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12FR80 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.26 V @ 38 a | 12 mA @ 800 v | -65°C〜175°C | 12a | - | ||||||||||||||
![]() | HZ2B3-E | 0.1100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYS10-35HE3/TR3 | - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 35 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4977 | - | ![]() | 2545 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4977 | 5 W | 軸 | ダウンロード | 適用できない | 1N4977S | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 47.1 v | 62 v | 42オーム | |||||||||||||||||
![]() | SS3P5HM3/85A | 0.4500 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SS3P5 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 780 mV @ 3 a | 100 µA @ 50 V | 3a | 80pf @ 4V、1MHz |
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