画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AZ23B6V2-HE3_A-08 | - | ![]() | 1329 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23B6V2-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX55C13-TR | 0.2300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C13 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 26オーム | ||||||||||||
![]() | SD101CW | 0.0770 | ![]() | 6 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | ショットキー | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2796-SD101CWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 900 mV @ 15 Ma | 1 ns | 200 Na @ 30 V | -55°C〜125°C | 15ma | 2.2pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | ZPD15 | 0.0211 | ![]() | 75 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-ZPD15TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100 na @ 11 v | 15 V | 11オーム | |||||||||||||||
![]() | BZD17C16P | 0.2625 | ![]() | 5475 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.56% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C16PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||
CDLL5917B | 3.9300 | ![]() | 5483 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5917 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | cll4731a tr | - | ![]() | 9669 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1 W | メルフ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5416 | 6.5200 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 1N5416 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | jans1n6347dus/tr | 527.7150 | ![]() | 4733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jans1n6347dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 69 v | 91 v | 270オーム | |||||||||||||||
![]() | s4pbhm3_b/i | - | ![]() | 3239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | S4PB | 標準 | TO-277A | ダウンロード | 112-S4PBHM3_B/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N1196 | 75.5700 | ![]() | 9070 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1196 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 40a | - | ||||||||||||
![]() | BZD17C68P-E3-08 | 0.1452 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17C68 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | |||||||||||||
jantxv1n6622us/tr | 18.4500 | ![]() | 2117 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/585 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6622us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 660 v | 1.4 V @ 1.2 a | 30 ns | 500 NA @ 660 v | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||||||||||||
1PGSMA4751HR3G | - | ![]() | 6596 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4751 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||
![]() | ZMM5265B-13 | - | ![]() | 7286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ZMM5265B-13GI | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||
![]() | BZG05C7V5-M3-18 | 0.1089 | ![]() | 2932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C7V5 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | SL13-E3/5AT | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SL13 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 445 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | MBR10100CTP | 0.7100 | ![]() | 103 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1010 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | - | 850 mv @ 5 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | jantx1n3314rb | - | ![]() | 1686 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 1.4オーム | ||||||||||||||
![]() | SR5200-TP | 0.5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR5200 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SR5200-TPMSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 5 a | 500 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 5a | 400pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5946B | - | ![]() | 7799 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5946 | 3 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | ||||||||||||
jans1n6341c | 358.7400 | ![]() | 1453 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6341c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 39 v | 51 v | 85オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5242B_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5242 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | ES3GBHR5G | - | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES3G | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.13 V @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 41pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
CMR2-10 BK PBFREE | 0.1996 | ![]() | 3727 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CMR2-10 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 2 a | 2.5 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | HPZR-C8V2-QX | 0.4200 | ![]() | 2065 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 、hpzr-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123W | 682 MW | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 100 MA | 100 µA @ 7 V | 8.2 v | 13.25オーム | |||||||||||||
MMBZ5234C-G3-18 | - | ![]() | 9808 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5234 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | SS320 R6G | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SS320R6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | VS-74-7449 | - | ![]() | 7444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 74-7449 | - | 112-VS-74-7449 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PLVA653A 、215 | 0.0500 | ![]() | 7286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PLVA6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
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