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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
VB10170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB10170C-E3/8W 0.6734
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-263-3 VB10170 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 170 v 5a 1.03 V @ 5 a 90 µA @ 170 v -40°C〜175°C
CDBUR40 Comchip Technology CDBUR40 0.0851
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし ショットキー 0603/SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 1 V @ 40 mA 5 ns 200 Na @ 30 V 125°C （最大） 200mA 5PF @ 0V、1MHz
BZX79C30 Fairchild Semiconductor BZX79C30 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 18,006 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
3EZ170D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ170D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 3EZ170 3 W do-204al（do-41） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 130.4 v 170 v 650オーム
1N4595R GeneSiC Semiconductor 1N4595R 35.5695
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N4595R 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1200 v 1.5 V @ 150 a 4ma @ 1200 v -60°C〜200°C 150a -
GP10-4002E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4002E-E3/73 -
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 GP10 標準 do-204al（do-41） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 100 V - 1a -
JANTX1N4622DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4622DUR-1 -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク sicで中止されました ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 2.5 µA @ 2 V 3.9 v 1650オーム
BZT55C7V5 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C7V5 L1G -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 BZT55 500 MW ミニメルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 mA 100 Na @ 5 V 7.5 v 7オーム
SK210A SMC Diode Solutions SK210A 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 SMCダイオードソリューション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA SK210 ショットキー sma（do-214ac） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 100 V 850 mV @ 2 a 500 µA @ 100 V -55°C〜150°C - 240pf @ 5v、1MHz
1N4750A onsemi 1N4750A 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4750 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 20.6 v 27 v 35オーム
1N3326RB Microchip Technology 1N3326RB 49.3800
RFQ
 ECAD 8365 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3326 50 W DO-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 27.4 v 36 v 3.5オーム
MBR2090CT-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2090CT-M3/4W 0.8404
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 MBR2090 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 90 v 10a 800 mV @ 10 a 100 µA @ 90 V -65°C〜150°C
APT50SCE120B Microsemi Corporation APT50SCE120B -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 Microsemi Corporation * チューブ 廃止 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30
JANTXV1N975D-1 Microchip Technology jantxv1n975d-1 11.1450
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N975 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 30 V 39 v 80オーム
MF300U06F2-BP Micro Commercial Co MF300U06F2-BP 31.0163
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ シャーシマウント モジュール MF300 標準 F2 ダウンロード 353-MF300U06F2-BP ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.65 V @ 300 a 145 ns 500 µA @ 600 V -40°C〜150°C 300a -
RL201 SMC Diode Solutions RL201 -
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 SMCダイオードソリューション - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 RL20 標準 DO-15 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 50 v 1 V @ 2 a 5 µA @ 50 V -65°C〜125°C 2a 20pf @ 4V、1MHz
1PGSMA150ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA150ZH 0.1156
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 台湾半導体コーポレーション aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 表面マウント DO-214AC、SMA 1PGSMA150 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 114 v 150 v 1000オーム
FEPB16HTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb16hthe3_a/p 1.1715
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 FEPB16 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 500 V 8a 1.5 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 500 V -55°C〜150°C
BYV29B-400HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv29b-400he3_a/i -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-263-3 byv29 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 8a -
S1JR3 Taiwan Semiconductor Corporation S1JR3 -
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA S1J 標準 do-214ac - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 600 V -55°C〜175°C 1a 12pf @ 4V、1MHz
1N4759PE3/TR12 Microchip Technology 1N4759PE3/TR12 0.9150
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4759 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 47.1 v 62 v 125オーム
JANTX1N4490DUS Microsemi Corporation jantx1n4490dus 49.5750
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 Microsemi Corporation 軍事、MIL-PRF-19500/406 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf、a 1N4490 1.5 w D-5a ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 mA 250 na @ 88 v 110 v 300オーム
JANTXV1N5535BUR-1 Microchip Technology jantxv1n5535bur-1 19.5300
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 1N5535 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 13.5 v 15 V 100オーム
ZM4730A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4730A-GS18 0.1089
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ 175°C 表面マウント do-213ab、メルフ（ガラス） ZM4730 1 W DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ZM4730AGS18 ear99 8541.10.0050 10,000 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
JAN1N4127D-1/TR Microchip Technology Jan1n4127d-1/tr 11.7838
RFQ
 ECAD 6718 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n4127d-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 42.6 v 56 v 300オーム
MMSZ4689-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4689-E3-08 0.2700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ4689 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 3 V 5.1 v
S6QR GeneSiC Semiconductor S6QR 3.8625
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S6Q 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 6 a 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
BYT01-400RL STMicroelectronics byt01-400rl -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 BYT01 標準 DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,000 高速回復= <500ns 400 V 1.5 V @ 1 a 55 ns 20 µA @ 400 v -40°C〜150°C 1a -
IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH03G65C5XKSA2 2.1100
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™+ チューブ 新しいデザインではありません 穴を通して TO-220-2 IDH03G65 sic （炭化シリコン）ショットキー PG-to220-2-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 3 a 0 ns 50 µA @ 650 v -55°C〜175°C 3a 100pf @ 1V、1MHz
BZX384C4V3-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C4V3-HE3-08 0.0341
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX384 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384C4V3 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

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